UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 2
Fig. 2.8: Dos transistores adyacentes en un circuito CMOS forman un diodo de cuatro capas o SCR parásito.
(a) (b) (c)
Fig. 2.9: Características de un diodo de cuatro capas: Estructura física (a), símbolo eléctrico (b), modelo equivalente de dos
transistores con realimentación positiva (c) y relación tensión-corriente en el que se observan los estados abierto y cerrado así
como el modo de disparo (d) [Ras95, p. 97].
(d)
El latch-up asociado a la radiación se produce cuando una partícula cargada atraviesa la
estructura anterior y crea cargas en la frontera del pozo n. Estas cargas se mueven a causa del
campo eléctrico produciendo una corriente espúrea que puede disparar el SCR parásito. La
corriente que atraviesa el dispositivo es tan alta que destruye el dispositivo CMOS ya que es
imposible frenarla. Por otro lado es necesario que se cumplan las siguientes condiciones para que
el SEL se produzca:
a) Los dos transistores parásitos deben estar polarizados en directa
b) El producto de la ganancia β de los transistores debe ser superior a 1
c) La fuente de tensión debe ser capaz de proporcionar corrientes suficientemente altas para
destruir el componente
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