UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

2.5.6. Errores Graves: Single Event Rupture (SER) y Soft Gate Breakdown (SGB) . 30
2.5.7. Errores Graves: Single Event Burn-Out (SEBO) .............................................. 31
2.6 Influencia de la radiación en materiales de encapsulado ..................................... 31
CAPITULO 3
EFECTOS DE LA RADIACIÓN SOBRE COMPONENTES
ELECTRÓNICOS BÁSICOS
3.1 Efectos de la radiación sobre resistencias ............................................................ 33
3.2 Efectos de la radiación sobre los materiales magnéticos ..................................... 36
3.3 Efectos de la radiación sobre condensadores ...................................................... 36
3.4 Efectos de la radiación sobre una unión PN ....................................................... 38
3.4.1 Mecanismos de conducción de una unión PN ................................................... 39
3.4.2 Rupturas por efecto Zener y por avalancha ....................................................... 42
3.4.3 Comportamiento en frecuencia de una unión PN .............................................. 44
3.4.4 Efectos del daño por desplazamiento en las uniones PN .................................. 45
3.4.5 Efectos la radiación ionizante en las uniones PN ............................................. 47
3.5 Efectos de la radiación en una unión Schottky .................................................. 48
3.5.1 Características eléctricas de una unión Schottky ideal ..................................... 49
3.5.2 No idealidades de una unión Schottky .............................................................. 50
3.5.3 Efectos del daño por desplazamiento en uniones Schottky .............................. 51
3.5.4 Efectos de la radiación ionizante en uniones Schottky ..................................... 52
3.6 El transistor bipolar ............................................................................................ 53
3.6.1 Teoría de funcionamiento de un transistor bipolar ideal ................................... 53
3.6.2 No idealidades presentes en un transistor bipolar ............................................. 55
3.6.3 Efectos del daño por desplazamiento en los transistores bipolares. Disminución
de la ganancia en corriente ...................................................................................... 59
3.6.4 Efectos del la radiación ionizante en los transistores bipolares ........................ 62
3.6.5 Daño acrecentado a bajas dosis de radiación ionizante (ELDR) ...................... 63
3.7 Los transistores JFET y MESFET ..................................................................... 64
3.7.1 Características eléctricas de los transistores de unión de efecto campo ........... 65
3.7.2 Efectos del daño por desplazamiento sobre los transistores JFET y MESFET 69
3.7.3 Efectos de la radiación ionizante sobre los transistores JFET y MESFET ....... 70
3.8 El transistor MOSFET ....................................................................................... 71
3.8.1 Características DC de un MOSFET. Modelo ideal y no idealidades ............... 72
3.8.2 Efectos del daño por desplazamiento en transistores MOSFET ...................... 74
3.8.3 Efectos de la radiación ionizante en transistores MOSFET. Variación de la
tensión umbral ......................................................................................................... 75
3.8.4 Efectos de la radiación ionizante en transistores MOS. Conducción por debajo
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