UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Efectos de la radiación sobre amplificadores de instrumentación en tecnología bipolar
flujo de neutrones. De acuerdo con (4.69), la tensión de offset de los amplificadores de
instrumentación con entrada JFET es prácticamente igual a VOS,1-VOS,2. Por tanto, si los
amplificadores evolucionaran de la misma manera, este factor sería siempre prácticamente nulo.
Sin embargo, los amplificadores de entrada JFET se distinguen por un comportamiento aleatorio,
dependiente de la muestra, que hace que la tensión de offset del amplificador de instrumentación
pueda alcanzar valores bastante altos si se dan las condiciones apropiadas (Fig. 7.11).
Por otra parte, los potenciómetros son dispositivos que toleran la radiación pero no tanto
como las resistencias de película metálica. En fig. 7.11 se pueden observar variaciones
importantes del valor de la ganancia diferencial. Este descenso no puede ser explicado por un
descenso de la ganancia en lazo abierto por el siguiente motivo: Un cambio de 98 a 95,
observado en el modelo con TLE2071, exigiría un valor de ganancia en lazo abierto de 3000
V/V. Sin embargo, en ninguna muestra de estos amplificadores se midió un valor inferior a 6000
V/V ni siquiera al llegar a 10 14 n·cm -2 . La causa de estos desajustes en el valor de la ganancia
radica en que los tres amplificadores no son idénticos, ni tampoco los componentes externos
utilizados, que no están tan ajustados como los utilizados en un amplificador de instrumentación
integrado.
Finalmente, es necesario mencionar que la superficie ocupada por estos amplificadores de
instrumentación es mucho mayor que la que ocupa uno integrado. Por este motivo, fuentes de
ruido como las interferencias eléctricas, soldaduras, etc. son más importantes que las esperadas
en los circuitos discretos.
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