UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
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Topologías internas de un amplificador operacional y dispositivos relacionados<br />
prohibida del semiconductor a esta temperatura [Gra95]. Como las referencias se construyen<br />
únicamente con silicio, el valor de VOUT está alrededor de 1.26 V a 300 K.<br />
Los principales problemas de las referencias similares a fig. 4.41 son dos: Por un lado, su<br />
impedancia de salida es muy alta por lo que la carga debe ser también elevada para que la<br />
referencia funcione correctamente. Por otra parte, la fuente de corriente IZ puede depender de la<br />
alimentación y, a causa de ello, la referencia tendría un coeficiente de regulación demasiado alto.<br />
Fig. 4.42: Referencia mejorada de separación de banda. La referencia de tensión AD580 se caracteriza por que V X=+V CC. En<br />
otras referencias basadas en ella, como AD780 o la familia REF0X, V X=V OUT.<br />
Este tipo de problemas también aparecían en las referencias tipo Zener enterrado por lo que<br />
se opta por una solución similar. Fig. 4.42 muestra la estructura de una referencia de tensión tipo<br />
band-gap mejorada, cuyo núcleo central es una celda de Brokaw, en la que se ha incorporado un<br />
amplificador operacional integrado. La célula primaria de la referencia de tensión está formada<br />
por los transistores Q1 y Q2 y las resistencias R1 y R2. La salida de esta red es igual a la suma de<br />
una tensión BE y un múltiplo de VT, que se consigue al construir los transistores Q2 y Q1 con<br />
áreas BE de valor pA y A respectivamente, con p > 1. La salida de la célula primaria se encuentra<br />
en la base de los dos transistores, cuyo valor es 1.26 V para minimizar el coeficiente térmico.<br />
Esta tensión es amplificada por las resistencias R4 y R5 para conseguir una tensión de salida<br />
diferente. Por ejemplo, las referencias de tensión AD780, REF02 y REF01 están basadas en este<br />
modelo siendo sus salidas 2.5, 5 y 10 V.<br />
A semejanza de las referencias de tensión tipo Zener enterrado, los pasos que deben darse a<br />
continuación son la sustitución de transistores y amplificadores por sus circuitos equivalentes, el<br />
planteamiento de las ecuaciones que rigen este circuito y, finalmente, su resolución en función<br />
de todos los parámetros presentes en el circuito. Desafortunadamente, existen muchos<br />
parámetros independientes envueltos en varias ecuaciones no lineales y, por tanto, la resolución<br />
directa de las ecuaciones matemáticas es prácticamente imposible. Es necesario entonces<br />
afrontar la resolución del sistema aceptando que los componentes del circuito son ideales<br />
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