UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

CAPITULO 3
EFECTOS DE LA RADIACIÓN SOBRE COMPONENTES
ELECTRÓNICOS BÁSICOS
En el capítulo anterior se estudió el modo en que la radiación afectaba a los materiales de
uso común en electrónica. El siguiente paso antes de abordar la degradación de circuitos más
complejos es el estudio del comportamiento de los componentes electrónicos más básicos. Para
ello, se investigarán las características físicas de los componentes, su dependencia de las
magnitudes estudiadas en el capítulo anterior así como las tecnologías de fabricación.
Los dispositivos que se van a estudiar en este capítulo son las resistencias, condensadores,
materiales magnéticos, uniones rectificadoras, transistores bipolares y de efecto campo (JFET,
MESFET y MOSFET). Ciertamente, existen más dispositivos electrónicos sencillos, como
células solares, sensores, heterouniones, etc. pero se ha rechazado su estudio y descripción
puesto que su uso no está tan extendido como los anteriores y podrían alargar excesivamente un
capítulo ya considerablemente extenso.
3.1 Efectos de la radiación sobre resistencias
Desde el punto de vista electrónico, las resistencias se clasifican en discretas, de grandes
dimensiones que pueden ser manejadas manualmente, e integradas, que se han implementado en
el interior de un componente electrónico más complejo.
Las resistencias discretas se clasifican en los siguientes tipos [Chr97, sec. 10.1.1]:
1) Enrolladas (Fixed wirewound resistors): A partir de un material resistivo y dúctil, se
construye un hilo de sección y longitud conocidas. Dado que es generalmente muy largo, se
debe enrollar en espiral para hacerlo manejable.
2) Carbono: Un substrato de un material inerte es mezclado con partículas de carbono.
Variando las proporciones de la disolución sólida, se puede cambiar la resistividad del
material.
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