UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
cargadas no son estáticas y se desplazan hacia la interfaz óxido-semiconductor. A medida que se
acercan las cargas a la interfaz, las cargas positivas atraen más y más electrones que contribuyen
a crear el canal parásito. Por otro lado, crean estados de superficie que atrapen electrones y que
incrementen la región de vaciamiento. Este hecho se acentúa si hay transferencia de carga desde
huecos del SiO2 a iones H + , fenómeno que aparece sobre todo en irradiaciones lentas (Ap. 2.4).
En definitiva, cuanto más lenta sea la irradiación, mayor es el daño producido.
El fenómeno de ELDR se caracteriza por una serie de resultados experimentales que nos
permiten conocer al detalle qué es lo que ocurre en el interior del óxido. Algunas características
son las siguientes:
- Los transistores discretos son inmunes a la ELDR ya que ésta sólo afecta a los
transistores bipolares integrados [Joh94].
- Los transistores NPN son mucho menos sensibles que los PNP [Joh96b].
- De entre todos los PNP, los más sensibles son los transistores laterales construidos en
tecnologías actualmente obsoletas.
Se ha apuntado que la principal diferencia entre los procesos de fabricación de dispositivos
discretos e integrados es el aislamiento de los distintos dispositivos integrados. En el caso de los
dispositivos PNP, este proceso consiste en la difusión de boro en el silicio a través de una capa
de óxido de protección. Este óxido resulta especialmente dañado y es retirado para poder
implantar la base y el emisor aunque permanece en los alrededores de estas dos regiones. El
óxido se encuentra cargado de defectos y recordemos que la calidad del óxido es especialmente
importante para inmunizar a los dispositivos electrónicos contra la radiación ionizante.
La mayor tolerancia de los transistores NPN frente a los PNP puede justificarse fácilmente
de la siguiente forma. Según [Joh96b], la diferencia radica en que el espesor que recubre los
transistores NPN es, en la mayor parte de las tecnologías, un tercio del que recubre los PNP.
Actualmente, se están realizando trabajos para modelar la acción del daño por ELDR. Se
han propuesto modelos, como [Giu01], para conocer los efectos de este fenómeno físico. Sin
embargo, continúa siendo un problema abierto.
3.7 Los transistores JFET y MESFET
El transistor JFET fue el primer transistor desarrollado en el que el transporte de corriente
no dependía de los portadores minoritarios sino de los mayoritarios. Hasta ahora, el único
dispositivo basado en portadores mayoritarios que se ha estudiado es el diodo Schottky.
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