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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID F
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Agradecimientos Es tradicional que
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« Las verdades más simples son aq
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Resumen Esta memoria afronta el pro
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2.5.6. Errores Graves: Single Event
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4.4.2.4 Consumo de corriente, corri
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7.7 Amplificadores de instrumentaci
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CAPITULO 1 INTRODUCCIÓN 1.1 Breve
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(a) (b) Fig. 1.3: Corte transversal
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5 Introducción Fig. 1.5: Dosis de
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7 Introducción uso en el sistema f
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9 Introducción simular la radiaci
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Capítulo 2 vacante y un átomo int
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Capítulo 2 Un mecanismo adicional
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Capítulo 2 D) Nivel de inyección
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Capítulo 2 Algunos autores utiliza
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Capítulo 2 a) Las colisiones de ne
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Capítulo 2 Insulator) son especial
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Capítulo 2 pero la radiación ioni
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Capítulo 2 Debido a la incertidumb
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Capítulo 2 Fig. 2.8: Dos transisto
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Capítulo 2 2.5.5. Errores Graves:
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Capítulo 2 Durante un tiempo, se s
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Capítulo 3 3) De película (Film r
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Capítulo 3 desplazamiento los afec
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Capítulo 3 Fig. 3.4: Las cargas po
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Capítulo 3 A) Difusión de portado
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Capítulo 3 ⎛ V ⎞ IS = IS0 ·ex
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Capítulo 3 ruptura se ha producido
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Capítulo 3 siendo IS,0 e IS,F las
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Capítulo 3 contacto se encuentra r
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Capítulo 3 consecuencia, se establ
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Capítulo 3 En cambio, este tipo de
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Capítulo 3 suma de dos componentes
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Capítulo 3 diodo real. La corrient
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Capítulo 3 V EA 2 WBq· NAB , = (3
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Capítulo 3 muestra la evolución d
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Capítulo 3 3.6.4 Efectos del la ra
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Capítulo 3 cargadas no son estáti
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Capítulo 3 En un transistor JFET d
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Capítulo 3 El objetivo primordial
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Capítulo 3 Fig. 3.25: Reducción d
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Capítulo 3 transistor se encuentra
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Capítulo 3 H· 2eNA ∆ VTH = ·
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Capítulo 3 cargas positivas e incl
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Capítulo 3 Fig. 3.33: Incremento d
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Capítulo 3 frecuencia y se dice qu
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Capítulo 4 Fig. 4.1: Símbolo del
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Capítulo 4 De acuerdo con esta nue
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Capítulo 4 minimizar la resistenci
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Capítulo 4 (a) (b) Fig. 4.5: Fuent
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Capítulo 4 Wilson: I h + 2h I h +
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Capítulo 4 corrientes que circulan
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Capítulo 4 entrada o el rechazo de
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Capítulo 4 VOUT = VIN−VBE, Q1
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Capítulo 4 (a) (b) Fig. 4.17: Etap
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Capítulo 4 Fig. 4.18 : Par bipolar
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Capítulo 4 activa (p.e., eq. 3.12b
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Capítulo 4 I f = I (4.34) u DSS π
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Capítulo 4 salida y la entrada a l
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Capítulo 4 Fig. 4.23 : Esquema pr
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Capítulo 4 Tipo Tabla 4.2: Corrien
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Capítulo 4 que esto ocurriría en
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Capítulo 4 perfectamente apareadas
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Capítulo 4 equivalente a afirmar q
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Capítulo 4 Fig. 4.31: Amplificador
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Capítulo 4 Puede observarse que cu
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Capítulo 4 IB3,- ya que el amplifi
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Capítulo 4 4.4.2.4 Consumo de corr
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Capítulo 4 IShCC =+ VCCRCC (4.73)
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Capítulo 4 Se va a determinar la r
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Capítulo 4 disminuiría y disminui
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Capítulo 4 excepto una parte, estu
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Capítulo 4 4.5.4.3 Influencia de l
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247 Efectos de la radiación en con
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c) Finalmente, el error de offset s
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253 Efectos de la radiación en con
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Capítulo 10 las predicciones teór
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BIBLIOGRAFIA El criterio para ident
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261 Bibliografía Oxides after Heav
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263 Bibliografía of the IEEE Canad
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265 Bibliografía [Mau00] P. C. Mau
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267 Bibliografía [Sco89] J. H. Sco
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