UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

More documents

Recommendations

Info

Capítulo 6 Siendo T >1 [Kuo96]. Este nuevo término adicional se consigue añadiendo circuitos RC serie o paralelo a la etapa de ganancia [Tob71]. Si se elige ωS ≈ ωZ, se consigue desplazar el polo secundario desde ωS hasta T·ωZ. Esta función de transferencia es cuidadosamente calculada por el diseñador para evitar la aparición de realimentación positiva. Debido a la acción de la radiación, la ganancia disminuye y los valores de los polos y ceros podrían ser desplazados de tal manera que el sistema entrase en realimentación positiva. Si la ganancia en lazo cerrado fuese suficientemente alta, el sistema recuperaría su estabilidad pues el polo dominante habría regresado hacia frecuencias más bajas y el amplificador se comportaría como un sistema con un único polo, tal y como se demostró en ap. 4.3.6. Fig. 6.20: Relación entrada-salida medida en un amplificador operacional OPA551 para distintos valores de radiación. El amplificador se encontraba polarizado como buffer, con alimentación de ±15 V y cargado con una resistencia de 47 Ω. Existe la posibilidad de que el amplificador OPA551 sufra también este tipo de fenómeno. La causa de esta afirmación debe buscarse en fig. 6.20, en la que se muestra la relación entrada- salida medida en este amplificador. En esta gráfica, se observa que el amplificador es lineal antes de la irradiación aunque se empiezan a percibir modificaciones a medida que la irradiación progresa. La gráfica deja de ser lineal si el flujo de neutrones es 10 12 n·cm -2 y, al llegar a 10 13 n·cm -2 , se observa que la salida toma valores alternos entre 0 y 4 V. Este hecho podría ser explicado si apareciera una oscilación con VIN < 0. Al realizar el barrido, se medirían de forma aleatoria ambos valores y se generarían las curvas mostradas en fig. 6.20. Desafortunadamente, las muestras irradiadas fueron destruidas y no se pudo estudiar con mayor rigor el fenómeno observado en el examen en línea. 6.6 Efectos de la radiación en la etapa de salida de un op amp En los apartados anteriores se describieron los efectos de la radiación sobre las etapas de entrada y de ganancia. A continuación, se describirán los fenómenos observados en la etapa de salida de los amplificadores, tanto de pequeña señal como de potencia. Por motivos técnicos, se dividirán los dispositivos según la clase a la que pertenece su etapa. Los parámetros de interés fueron la corriente de cortocircuito de la salida y los desplazamientos de las tensiones de saturación. No se midió la resistencia de salida. 190
Efectos de la radiación sobre amplificadores operacionales de pequeña señal y potencia (a) (b) Fig. 6.21a-b: Evolución de las corrientes de salida positiva (a) y negativa (b) del amplificador operacional OPA541AM Fig. 6.22: Evolución de las corrientes de salida del amplificador operacional PA61. La corriente de cortocircuito en la salida se midió antes y después de la irradiación en los amplificadores de pequeña señal. En cambio, en los amplificadores de potencia se realizó una medida on-line ya que éste es uno de los parámetros más importantes en estos dispositivos. Para ello, se cargaron los operacionales con resistencias de 5.1 Ω y se realizó un barrido en la tensión de salida entre –5 y 5 V. De esta manera, se comprobaba si las ganancias en cortocircuito de los amplificadores disminuían por debajo de 1 A. Por otra parte, estos amplificadores pueden incorporar resistencias externas para limitar la corriente de salida. Estas resistencias fueron sustituidas por cortocircuitos para forzar al amplificador a dar la máxima corriente de salida. 191
Page 1 and 2:
UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID F
Page 3 and 4:
Agradecimientos Es tradicional que
Page 5 and 6:
« Las verdades más simples son aq
Page 7 and 8:
Resumen Esta memoria afronta el pro
Page 9 and 10:
2.5.6. Errores Graves: Single Event
Page 11 and 12:
4.4.2.4 Consumo de corriente, corri
Page 13 and 14:
7.7 Amplificadores de instrumentaci
Page 15 and 16:
CAPITULO 1 INTRODUCCIÓN 1.1 Breve
Page 17 and 18:
(a) (b) Fig. 1.3: Corte transversal
Page 19 and 20:
5 Introducción Fig. 1.5: Dosis de
Page 21 and 22:
7 Introducción uso en el sistema f
Page 23 and 24:
9 Introducción simular la radiaci
Page 25 and 26:
Capítulo 2 vacante y un átomo int
Page 27 and 28:
Capítulo 2 Un mecanismo adicional
Page 29 and 30:
Capítulo 2 D) Nivel de inyección
Page 31 and 32:
Capítulo 2 Algunos autores utiliza
Page 33 and 34:
Capítulo 2 a) Las colisiones de ne
Page 35 and 36:
Capítulo 2 Insulator) son especial
Page 37 and 38:
Capítulo 2 pero la radiación ioni
Page 39 and 40:
Capítulo 2 Debido a la incertidumb
Page 41 and 42:
Capítulo 2 Fig. 2.8: Dos transisto
Page 43 and 44:
Capítulo 2 2.5.5. Errores Graves:
Page 45 and 46:
Capítulo 2 Durante un tiempo, se s
Page 47 and 48:
Capítulo 3 3) De película (Film r
Page 49 and 50:
Capítulo 3 desplazamiento los afec
Page 51 and 52:
Capítulo 3 Fig. 3.4: Las cargas po
Page 53 and 54:
Capítulo 3 A) Difusión de portado
Page 55 and 56:
Capítulo 3 ⎛ V ⎞ IS = IS0 ·ex
Page 57 and 58:
Capítulo 3 ruptura se ha producido
Page 59 and 60:
Capítulo 3 siendo IS,0 e IS,F las
Page 61 and 62:
Capítulo 3 contacto se encuentra r
Page 63 and 64:
Capítulo 3 consecuencia, se establ
Page 65 and 66:
Capítulo 3 En cambio, este tipo de
Page 67 and 68:
Capítulo 3 suma de dos componentes
Page 69 and 70:
Capítulo 3 diodo real. La corrient
Page 71 and 72:
Capítulo 3 V EA 2 WBq· NAB , = (3
Page 73 and 74:
Capítulo 3 muestra la evolución d
Page 75 and 76:
Capítulo 3 3.6.4 Efectos del la ra
Page 77 and 78:
Capítulo 3 cargadas no son estáti
Page 79 and 80:
Capítulo 3 En un transistor JFET d
Page 81 and 82:
Capítulo 3 El objetivo primordial
Page 83 and 84:
Capítulo 3 Fig. 3.25: Reducción d
Page 85 and 86:
Capítulo 3 transistor se encuentra
Page 87 and 88:
Capítulo 3 H· 2eNA ∆ VTH = ·
Page 89 and 90:
Capítulo 3 cargas positivas e incl
Page 91 and 92:
Capítulo 3 Fig. 3.33: Incremento d
Page 93 and 94:
Capítulo 3 frecuencia y se dice qu
Page 95 and 96:
Capítulo 4 Fig. 4.1: Símbolo del
Page 97 and 98:
Capítulo 4 De acuerdo con esta nue
Page 99 and 100:
Capítulo 4 minimizar la resistenci
Page 101 and 102:
Capítulo 4 (a) (b) Fig. 4.5: Fuent
Page 103 and 104:
Capítulo 4 Wilson: I h + 2h I h +
Page 105 and 106:
Capítulo 4 corrientes que circulan
Page 107 and 108:
Capítulo 4 entrada o el rechazo de
Page 109 and 110:
Capítulo 4 VOUT = VIN−VBE, Q1
Page 111 and 112:
Capítulo 4 (a) (b) Fig. 4.17: Etap
Page 113 and 114:
Capítulo 4 Fig. 4.18 : Par bipolar
Page 115 and 116:
Capítulo 4 activa (p.e., eq. 3.12b
Page 117 and 118:
Capítulo 4 I f = I (4.34) u DSS π
Page 119 and 120:
Capítulo 4 salida y la entrada a l
Page 121 and 122:
Capítulo 4 Fig. 4.23 : Esquema pr
Page 123 and 124:
Capítulo 4 Tipo Tabla 4.2: Corrien
Page 125 and 126:
Capítulo 4 que esto ocurriría en
Page 127 and 128:
Capítulo 4 perfectamente apareadas
Page 129 and 130:
Capítulo 4 equivalente a afirmar q
Page 131 and 132:
Capítulo 4 Fig. 4.31: Amplificador
Page 133 and 134:
Capítulo 4 Puede observarse que cu
Page 135 and 136:
Capítulo 4 IB3,- ya que el amplifi
Page 137 and 138:
Capítulo 4 4.4.2.4 Consumo de corr
Page 139 and 140:
Capítulo 4 IShCC =+ VCCRCC (4.73)
Page 141 and 142:
Capítulo 4 Se va a determinar la r
Page 143 and 144:
Capítulo 4 disminuiría y disminui
Page 145 and 146:
Capítulo 4 excepto una parte, estu
Page 147 and 148:
Capítulo 4 4.5.4.3 Influencia de l
Page 149 and 150:
Capítulo 4 4.5.5 Referencias de te
Page 151 and 152: Capítulo 4 estar construida a part
Page 153 and 154: Capítulo 4 a) Tensión mínima de
Page 155 and 156: Capítulo 4 El sistema anterior se
Page 157 and 158: Capítulo 4 V k V =− ∑ b ·2 (4
Page 159 and 160: Capítulo 4 n ( ) V11..11 = 2 − 1
Page 161 and 162: CAPITULO 5 DESCRIPCIÓN DEL MONTAJE
Page 163 and 164: Fig. 5.2: Espectro de energía del
Page 165 and 166: Descripción del montaje experiment
Page 173 and 174: Fig. 5.12: Estructura interna de la
Page 177 and 178: CAPITULO 6 EFECTOS DE LA RADIACIÓN
Page 179 and 180: Efectos de la radiación sobre ampl
Page 199 and 200: Tabla 6.2: Relación entre el Slew
Page 201: Efectos de la radiación sobre ampl
Page 229 and 230: Capítulo 8 Fig. 8.1: Relación ent
Page 231 and 232: Capítulo 8 modificado las caracter
Page 233 and 234: Capítulo 8 Fig. 8.7: Relación ent
Page 235 and 236: Capítulo 8 Fig. 8.10: Dependencia
Page 237 and 238: Capítulo 8 8.3.2 Tensión térmica
Page 239 and 240: Capítulo 8 En la zona de bajas ten
Page 241 and 242: Capítulo 8 De acuerdo con (4.82),
Page 243 and 244: Capítulo 8 Este último hecho just
Page 247 and 248: 237 Efectos de la radiación en con
Page 253 and 254:
243 Efectos de la radiación en con
Page 255 and 256:
Page 257 and 258:
Page 259 and 260:
c) Finalmente, el error de offset s
Page 261 and 262:
Page 263 and 264:
Page 265 and 266:
Capítulo 10 las predicciones teór
Page 267 and 268:
BIBLIOGRAFIA El criterio para ident
Page 269 and 270:
261 Bibliografía Oxides after Heav
Page 271 and 272:
263 Bibliografía of the IEEE Canad
Page 273 and 274:
265 Bibliografía [Mau00] P. C. Mau
Page 275 and 276:
267 Bibliografía [Sco89] J. H. Sco
Page 277 and 278:
PUBLICACIONES RELACIONADAS A contin
Page 279:
2004 271 Publicaciones Relacionadas
show all

UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?