UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Acción de la radiación sobre los materiales utilizados en el diseño electrónico defectos puntuales se alineen uniendo puerta y canal del transistor. Este defecto lineal es conductor e impide que el dióxido de puerta sea un aislante perfecto y que el transistor funcione correctamente. Este fenómeno es muy importante en circuitos integrados con una gran cantidad de componentes sencillos y que vaya a trabajar largo tiempo y su efecto es mayor en componentes irradiados a causa de los defectos producidos por la radiación [Ces00]. A diferencia de la SGR, no es necesario el paso de una partícula ionizante para que se produzca la ruptura de la puerta aunque, como aquélla, la SGB tiene un comportamiento aleatorio. Ambos fenómenos producen la destrucción de la puerta de los transistores MOS. 2.5.7. Errores Graves: Single Event Burn-Out (SEBO) Este fenómeno aparece en transistores de potencia que estén interrumpiendo el paso de corriente. Esto implica que existe una gran diferencia de tensión entre el drenador y fuente (o entre el colector y el emisor en el caso de un transistor bipolar) y que el semiconductor que los separa está libre de cargas. Si una partícula atravesase el espacio entre los dos terminales, podría crear una zona rica en Fig. 2.13: Mecanismo que produce un SEB. La partícula ionizante cortocircuita el drenador y la fuente destruyendo el transistor. portadores que permitiría el paso de corriente entre ambos. Esta súbita descarga destruye el transistor. Este suceso aislado fue descrito inicialmente en transistores de efecto campo de potencia [Was86, Hoh87]. Sin embargo, se descubrió que no es un fenómeno exclusivo de esta tecnología pues se encontró también en transistores bipolares de potencia [Tit91, Kub00]. En general, podrá aparecer en todo dispositivo semiconductor de potencia que bloquee el paso de corriente entre dos puntos cuya diferencia de tensión sea muy elevada. 2.6 Influencia de la radiación en materiales de encapsulado. Ya se mencionó en los apartados 2.2 y 2.4 que el oscurecimiento de los plásticos que recubren los fotodiodos influyen en la eficiencia de emisión luminosa de éstos. En general, todo dispositivo electrónico está protegido del exterior por un encapsulado, que puede ser plástico o cerámico. A diferencia de los materiales cerámicos, se sospecha que el plástico puede atrapar cargas positivas por un mecanismo similar al observado en el dióxido de silicio. Por otra parte, el plástico es un compuesto con una gran cantidad de hidrógeno, que podría contaminar el SiO2 [Ada00, ap. 3.4] por lo que la degradación de éste podría ser mucho más intensa, tal y como se explicó en el apartado 2.4.2. 31
Capítulo 2 Durante un tiempo, se sugirió que la carga acumulada en materiales plásticos podía afectar al comportamiento de los componentes que estuvieran recubiertos por ellos [Fac00]. En algunos casos, parecía que se demostraba esta hipótesis [Cla95, Bar98] aunque en los resultados posteriores no se encontró diferencia en el comportamiento en función del encapsulado [Gor99] o, incluso, se apuntaba en la dirección contraria [Wal99]. Por otra parte, cada tipo de encapsulado exige la realización de procesos diferentes. Esta diferencia en los pasos seguidos durante la fabricación podría ser también otra de las causas en el distinto comportamiento de los componentes si ésta fuese finalmente confirmada. 32
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