UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
cargas positivas e incluso superarla. En
este momento, la tensión umbral comienza
a crecer y puede llegar a ser superior
incluso a la inicial.
Fig. 3.29 muestra la evolución de la
tensión umbral para distintos ritmos de
irradiación. Si la irradiación es muy
rápida, el número de cargas positivas
creadas es tan alto que la tensión umbral
decrece sin parar. En cambio, si la
irradiación es lenta, predomina la creación
Fig. 3.29: Evolución de la tensión umbral de un transistor de estados superficiales y la tensión
NMOS dependiendo del ritmo de irradiación [Joh84]. Los
transistores pertenecían a un microprocesador Z-80.
umbral crece tras un pequeño descenso en
su valor. Puede verse que la tensión
umbral alcanza un mínimo a partir del cual comienza a subir. Esta etapa de transición antes del
crecimiento de la tensión umbral se alarga a medida que se acelera el ritmo de irradiación.
En el caso de que el transistor sea de tipo PMOS, las cargas son atraídos hacia la puerta y
no hacia el semiconductor. Por tanto, no se pueden crear estados en la interfaz óxidosemiconductor
y sólo tienen importancia las cargas acumuladas en el óxido. En un transistor
PMOS, el campo eléctrico que crea el canal va en sentido inverso al que existe en un transistor
de canal n. La carga positiva se opone al campo que crea el canal y el resultado es que la tensión
umbral decrece. En definitiva, el valor absoluto de la tensión umbral de un transistor PMOS se
incrementa con la radiación ionizante sea cual sea su ritmo de irradiación.
Fig. 3.30: Influencia de la polarización en un transistor
NMOS sometido a radiación ionizante [Den00].
Por otro lado, la polarización de un transistor afecta a la evolución de un transistor MOS.
La causa está en que la presencia de campo favorece el desplazamiento de cargas en el óxido. En
el caso de un transistor NMOS, las cargas positivas y los átomos de hidrógeno son lanzados
hacia la interfaz aislante-semiconductor. Como se puede deducir de (3.59), cuanto más cerca se
encuentren las cargas de esta superficie, mayor será su efecto sobre el canal. Por tanto, un
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Fig. 3.31: Evolución de la tensión umbral de un transistor
PMOS sometido a dosis ionizante [Den00].