UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Acción de la radiación sobre los materiales utilizados en el diseño electrónico
defectos puntuales se alineen uniendo puerta y canal del transistor. Este defecto lineal es
conductor e impide que el dióxido de puerta sea un aislante perfecto y que el transistor funcione
correctamente. Este fenómeno es muy importante en circuitos integrados con una gran cantidad
de componentes sencillos y que vaya a trabajar largo tiempo y su efecto es mayor en
componentes irradiados a causa de los defectos producidos por la radiación [Ces00]. A
diferencia de la SGR, no es necesario el paso de una partícula ionizante para que se produzca la
ruptura de la puerta aunque, como aquélla, la SGB tiene un comportamiento aleatorio. Ambos
fenómenos producen la destrucción de la puerta de los transistores MOS.
2.5.7. Errores Graves: Single Event Burn-Out (SEBO)
Este fenómeno aparece en transistores de potencia que estén interrumpiendo el paso de
corriente. Esto implica que existe una gran diferencia de tensión entre el drenador y fuente (o
entre el colector y el emisor en el caso de un transistor bipolar) y que el semiconductor que los
separa está libre de cargas.
Si una partícula atravesase el espacio entre los dos terminales, podría crear una zona rica en
Fig. 2.13: Mecanismo que produce un SEB. La partícula
ionizante cortocircuita el drenador y la fuente destruyendo
el transistor.
portadores que permitiría el paso de corriente
entre ambos. Esta súbita descarga destruye el
transistor.
Este suceso aislado fue descrito
inicialmente en transistores de efecto campo
de potencia [Was86, Hoh87]. Sin embargo, se
descubrió que no es un fenómeno exclusivo de
esta tecnología pues se encontró también en
transistores bipolares de potencia [Tit91,
Kub00]. En general, podrá aparecer en todo
dispositivo semiconductor de potencia que
bloquee el paso de corriente entre dos puntos
cuya diferencia de tensión sea muy elevada.
2.6 Influencia de la radiación en materiales de encapsulado.
Ya se mencionó en los apartados 2.2 y 2.4 que el oscurecimiento de los plásticos que
recubren los fotodiodos influyen en la eficiencia de emisión luminosa de éstos. En general, todo
dispositivo electrónico está protegido del exterior por un encapsulado, que puede ser plástico o
cerámico. A diferencia de los materiales cerámicos, se sospecha que el plástico puede atrapar
cargas positivas por un mecanismo similar al observado en el dióxido de silicio. Por otra parte, el
plástico es un compuesto con una gran cantidad de hidrógeno, que podría contaminar el SiO2
[Ada00, ap. 3.4] por lo que la degradación de éste podría ser mucho más intensa, tal y como se
explicó en el apartado 2.4.2.
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