UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
Fig. 3.4: Las cargas positivas atrapadas en el óxido impiden que
todos las cargas móviles diseminadas por las placas abandonen el
condensador. Estas habrían abandonado el condensador si las cargas
positivas no existiesen.
abundantes que atrapan de nuevo los electrones creados por efecto fotoeléctrico. Por otro lado,
estas cargas son fácilmente eliminadas con un calentamiento de varias horas a 50 ºC aunque
pueden permanecer durante varias semanas si la muestra se encuentra a temperatura ambiente.
Finalmente, hay que mencionar el incremento de la conductividad producido por efecto
fotoeléctrico en el dieléctrico del condensador. Este efecto ha sido descrito en los artículos
mencionados con anterioridad y fue comprobado experimentalmente.
3.4 Efectos de la radiación sobre una unión PN
La unión PN es el dispositivo electrónico no lineal más sencillo que existe. El estudio
exhaustivo de esta estructura puede ser encontrado en gran cantidad de libros de amplia difusión
[Tya91, Nea92, Sze81, Sze85, Neu89]. En este apartado, se realiza un resumen del
funcionamiento de este dispositivo así como el efecto que puede tener la radiación sobre ellos.
Fig. 3.6: Esquema simplificado de una unión PN. Las dos
zonas tiene un dopado N A y N D. Entre ambas partes, se ha
creado una región libre de portadores llamada “zona de
vaciamiento” de anchura W.
Una unión de este tipo se construye implantando o difundiendo impurezas en un substrato
semiconductor de distinto dopado o bien haciendo crecer sobre éste una capa de dopado opuesto.
A continuación, el silicio debe ser recubierto con una capa de óxido de protección. Fig. 3.5
muestra una estructura tridimensional de un diodo de difusión. Se han difundido impurezas
donadoras sobre un substrato tipo p, añadido un par de contactos (En el caso de la zona n, se tuvo
que dopar fuertemente la unión para que se comportara de manera óhmica) y se recubrió con un
óxido de protección. En estos casos, en lugar del diodo tridimensional, se estudia un modelo más
simplificado, en una sola dimensión, que se representa en fig. 3.6.
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Fig. 3.5: Estructura física de una unión PN.
Fig. 3.7: Estructura de bandas en una unión PN.