UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

CAPITULO 8
EFECTOS DE LA RADIACIÓN SOBRE LAS REFERENCIAS
DISCRETAS DE TENSIÓN
Las referencias de tensión son dispositivos integrados capaces de proporcionar una tensión
constante e independiente de la alimentación, temperatura y carga. Las referencias de precisión
constan de un núcleo central, capaz de proporcionar una tensión constante, y un amplificador
operacional realimentado, que mejora las características de salida.
El primer apartado se destina al estudio de los diodos de ruptura, tanto Zener como de
avalancha, y de los diodos de referencia. Estos elementos son las referencias más sencillas que
existen aunque, para conseguir una mayor precisión, es necesario añadir un amplificador
operacional. Los siguientes apartados tratan sobre los resultados experimentales obtenidos al
irradiar los tres tipos de referencia (Zener enterrado, band-gap y XFET). Finalmente, el último
apartado intenta aclarar los mecanismos de degradación de estos dispositivos vinculándolos a la
evolución de los amplificadores operacionales internos.
8.1 Diodos discretos utilizados como referencias de tensión
Las referencias de tensión más sencillas son los diodos con una baja tensión de ruptura,
cuya estructura se describió en ap. 3.4. Si la ruptura acontece entre 0 y 4 V, el mecanismo físico
predominante es el efecto túnel. Si es superior a 8 V, predomina la avalancha de portadores y,
entre 4 y 8 V, ambos efectos coexisten.
El comportamiento térmico depende del mecanismo de ruptura, opuestos entre sí. En la
región de 4-8 V, el coeficiente térmico puede anularse aunque se pueden utilizar dos diodos
enfrentados entre sí, uno en ruptura y otro en inversa (fig. 4.38). Estos son conocidos como
diodos de referencia.
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