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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Capítulo 6<br />

Fig. 6.3: Etapa de entrada del amplificador LH0042.<br />

Fig. 6.4: Relación entre las corrientes de entrada y salida de<br />

diversos espejos de corriente en función de la ganancia de los<br />

transistores bipolares que los integran.<br />

debe crecer ya que la tensión VP- es menor que 0 V.<br />

amplificador operacional LH0042 mostró<br />

un comportamiento similar a pesar de ser<br />

de entrada JFET.<br />

Sin embargo, es posible relacionar la<br />

reducción de la ganancia hFE con la tensión<br />

de offset a través de un mecanismo<br />

indirecto. La causa está en que la corriente<br />

que atraviesa cada una de las ramas de un<br />

par diferencial se obtiene al dividir una<br />

fuente de corriente IEE por medio de un<br />

espejo de corriente.<br />

Fijémonos por ejemplo en el<br />

amplificador operacional LH0042. La<br />

etapa de entrada de este amplificador<br />

consta de un par de transistores JFET de<br />

canal n polarizados por una fuente de<br />

corriente que debe dividirse equitativamente<br />

entre ambas ramas (Fig. 6.3). Para conseguir<br />

que la corriente se divida de forma exacta<br />

entre ambas ramas, se utiliza un espejo de<br />

base compensada. Fig. 6.4 muestra la<br />

capacidad de reflexión de diversos espejos<br />

de corriente en función de la ganancia de los<br />

transistores que lo forman. Como puede<br />

verse, a medida que decrece la ganancia,<br />

menor es la capacidad de reflexión. En<br />

definitiva, el valor de ID- disminuye en tanto<br />

que ID+ aumenta. Siguiendo (4.23), VOS<br />

Este razonamiento se puede aplicar a los amplificadores de entrada bipolar, con espejos<br />

relativamente sencillos, y a amplificadores de entrada JFET sin demasiada precisión. En otros<br />

amplificadores, como los modelos TLE2071 y OPA627, los espejos son más complejos por lo<br />

que se necesitarían dosis mayores de radiación para conseguir inutilizar los espejos de corriente.<br />

Por otra parte, estos amplificadores se caracterizan por un buen comportamiento en frecuencia.<br />

Por tanto, los transistores internos son de alta frecuencia, lo que aumenta la tolerancia de estos<br />

amplificadores frente a los modelos LH0042, OPA111 y OPA124.<br />

En estos dos últimos amplificadores se observó un crecimiento de la tensión de offset<br />

aunque el signo podía variar de una muestra a otra. El fabricante no da información acerca de la<br />

estructura interna de los amplificadores por lo que no se puede elaborar ninguna teoría. Sin<br />

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