UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Efectos de la radiación en conversores digital-analógicos
de corriente descendía debido a la degradación de las fuentes internas. Sólo en algunos casos
especiales, como las irradiaciones con rayos gamma hasta límites muy altos [Sha02] o en el caso
de que los dispositivos de micropotencia, las corrientes de fuga tienen más importancia que la
degradación de los espejos de corriente internos.
En los conversores CMOS, no existen amplificadores operacionales internos por lo que el
único mecanismo presente es la creación de corrientes de fuga. Los componentes examinados
tienen dos alimentaciones VREF y VL, así como dos posibles nudos de tierra (digital y analógica).
Al examinar la estructura interna del conversor, se aprecia que VREF se limita a polarizar la
red R/2R en escalera. Tras la irradiación, se observó que no se había producido ningún
incremento en la corriente suministrada por esta tensión de alimentación. La causa es clara: Esta
entrada está unida a una red de resistencias metálicas, en las que no existan zonas N en las que se
puedan crear canales para las corrientes de fuga. Las únicas zonas de este tipo se encuentran más
allá de las resistencias, en los conmutadores, y las fugas producidas en esta zona no pueden
afectar para nada al consumo de corriente.
En cambio, la tensión de alimentación VL está unida a un subcircuito lógico (fig. 4.52a), en
el que sí es previsible la creación de corrientes de fuga que reviertan en un incremento del
consumo. Antes de la irradiación, el consumo de corriente era 0 µA, como ocurre en general en
todas las lógicas CMOS. Tras la irradiación, se midió en todos los conversores una corriente
entre 0.5 y 1 µA, bastante pequeña pero, lo que es realmente importante, no nula.