UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

(a) (b)
Efectos de la radiación sobre referencias de tensión
Fig. 8.3a-b: Relación entrada-salida en inversa de diferentes muestras del diodo P6KE15A, antes de la irradiación (a) y después
de ella, a distintos valores de flujo de neutrones (b).
que, por otro lado, sufren modificaciones en
las características en directa similares a las
mostradas en el diodo BZX2V7.
8.1.2 Diodos de referencia
Estos dispositivos se distinguen de los
anteriores por la presencia de un diodo
polarizado en directa que compensa la
deriva térmica del diodo Zener. Como se vio
anteriormente, el diodo Zener extraordina-
riamente tolerante a la radiación, no
pudiéndose decir lo mismo del primero. Se
irradiaron los diodos de referencia 1N821 y
1N829, cuya tensión de ruptura se sitúa entre 6 y 7 V, y se caracterizaron antes y después de la
irradiación.
Fig. 8.4: Relación entrada-salida del diodo de referencia
1N821 antes y después de la irradiación.
Fig. 8.4 muestra la evolución de la relación V-I de dos muestras de los modelos 1N821.
Puede apreciarse que las gráficas se han desplazado 0.1 V hacia la derecha. La causa de este
movimiento no es otra que la degradación del diodo polarizado en directa. En el capítulo 3, se
estableció que la caída de tensión de un diodo polarizado en directa disminuía tras producirse la
irradiación a causa del crecimiento de la corriente de saturación inversa. Una prueba
experimental de este hecho es la evolución observada en el diodo BZX2V7, que se muestra en
fig. 8.2.
No se comprobó la evolución térmica de estos componentes tras la irradiación. Sin
embargo, es obvio que el coeficiente térmico no puede ser nulo, puesto que sólo se han
219