UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Efectos de la radiación sobre amplificadores operacionales de pequeña señal y potencia
Se hallaron crecimientos similares en los amplificadores operacionales de potencia. No se
disponen de datos de los amplificadores OPA551, PA10 y PA12A, que fueron destruidos al
alcanzar una dosis situada en torno a 1-2·10 13 n·cm -2 . En cambio, sí se pudieron tomar en los
amplificadores PA61 y OPA541. En el primero, se observó un cambio en ambos parámetros
desde 0.5 & 35 µV/V hasta 14 & 79 µV/V con una dosis de 2.63·10 13 n·cm -2 . En el otro
amplificador operacional, los cambios fueron del mismo orden de magnitud, tal y como se
muestra en fig. 6.5c-d.
6.2.4 Mecanismos de modificación de PSRR+ y PSRR-
En ap. 4.3.2 se discutió un amplificador diferencial en el la tensión de offset podía depender
de las fuentes de alimentación a causa del efecto Early de sus transistores. Este hecho podía ser
extendido a los transistores JFET, afectados por la modulación del canal.
Tal y como se mostró en el apartado 3.6.3, la tensión de Early decrece con la irradiación en
tanto que el coeficiente λ aumenta. A consecuencia de ello, debe esperarse una creciente
influencia de las alimentaciones en el valor de la tensión de offset. Es evidente que este hecho
depende de la topología interna del amplificador, de las características internas de los
amplificadores, etc. Sin embargo, es un fenómeno general, y se debe cumplir en todos los
dispositivos bipolares donde existan fuentes de corriente y que se irradien con neutrones.
No se observaron incrementos similares en las irradiaciones con 60 Co. Sin embargo, de
acuerdo con Sharma et alt. [Sha97], algunos amplificadores operacionales sufren un incremento
de la razón de rechazo de las fuentes de alimentación al ser irradiados con 2 kGy (Si).
Desafortunadamente, el autor no proporciona datos numéricos para comparar con los de este
trabajo y no se propone ningún mecanismo que justifique este fenómeno.
6.2.5 Corrientes de polarización de las entradas
A la hora de describir la evolución de este parámetro, es necesario clasificar los
amplificadores según el tipo de entrada: JFET y bipolar.
En general, la corriente de polarización de la entrada de los amplificadores no irradiados
con entrada JFET es del orden de 10-100 pA. En algunos amplificadores de entrada DiFET
(OPA602, OPA627), no se observaron incrementos significativos ni siquiera al alcanzar las dosis
máximas de radiación (7-11·10 13 n·cm -2 & 2.7 kGy (air)). En el resto de amplificadores, se
constató que se producía un crecimiento, aunque los valores finales no suelen ser superiores a 1
nA al llegar a una dosis entre 5·10 13 y 10 14 n·cm -2 .
Durante las medidas on-line, se observaron incrementos en la corriente de polarización de
offset en algunos amplificadores (OPA111, OPA627) cuando se producía la irradiación (fig.
6.6a). Estos fenómenos estarían asociados al efecto fotoeléctrico provocado por la radiación
ionizante, máxime cuando estos datos se obtuvieron en las primeras medidas realizadas en el
reactor, donde se alcanzaba una dosis de radiación gamma diez veces superior a la encontrada en
la cavidad.
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