UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 10
las predicciones teóricas realizadas previamente y confirmaron la evolución de
ciertos parámetros muy conocidos e investigados por otros autores (Tensión de
offset, corriente de polarización de entrada, ganancia en lazo abierto,
comportamiento en frecuencia) y aportaron luz para el conocimiento de otros
parámetros no tan profundamente investigados (Consumo, corriente en
cortocircuito).
3. Asimismo, se han descubierto fenómenos hasta ahora ignorados, como la aparición
de realimentación positiva, la relación entre el slew rate y la frecuencia de ganancia
unidad y la dependencia creciente del valor de las fuentes de alimentación. Este
último hecho fue justificado como un fenómeno de segundo orden, causado por la
disminución de la tensión Early de los transistores bipolares. Por otra parte, se ha
podido justificar la universalidad de estos fenómenos sin tener que estudiar cada
amplificador operacional de forma individual.
El siguiente paso que se dio en esta investigación fue la extrapolación de los resultados
obtenidos en los amplificadores operacionales a otros componentes más complejos en los que
éstos se encontraran presentes. A diferencia del amplificador operacional, en el que fue necesario
descender hasta el nivel del transistor para conocer la degradación, en estos elementos más
complejos sólo se llegó hasta el nivel subcircuital. Se eligieron como muestras los amplificadores
de instrumentación, las referencias de tensión y los conversores digital-analógicos y se
describieron sus características y no idealidades en función de las características de los
amplificadores operacionales internos.
4. Se observó en los amplificadores de instrumentación una evolución de la tensión de
offset, de las corrientes de polarización, del consumo, de la ganancia diferencial y
del comportamiento en frecuencia, hechos que son totalmente coherentes con las
predicciones que se habían realizado en un estudio teórico previo.
5. Asimismo, se halló un fenómeno nuevo que es la saturación temprana en la tensión
de salida, fenómeno relacionado con la incapacidad del amplificador de
instrumentación de polarizar la red de realimentación interna. Este fenómeno está
causado por la disminución de la corriente en cortocircuito.
6. La evolución de las referencias de tensión pudo ser explicada como una
manifestación de la degradación del amplificador operacional interno,
especialmente en las referencias de tensión tipo Zener enterrado, en las que el
núcleo es muy tolerante a la radiación. Se pudieron explicar fenómenos observados
por otros autores como la creciente influencia de las alimentaciones y se observaron
otros fenómenos hasta ahora poco o nada estudiados: Reducción de la máxima
corriente de salida, descenso en el consumo y modificación de la relación entrada-
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