UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Topologías internas de un amplificador operacional y dispositivos relacionados
(a) (b)
(c) (d)
Fig. 4.28a-d :Corriente de cortocircuito de una etapa de salida con protección de sobrecarga. Se supone que los transistores son
tipo NPN similares al modelo 2N2222 y que R = 10 Ω, I Q = 50 µA y +V CC = 15V, siempre y cuando no sea el parámetro del
que se está estudiando la dependencia.
expresiones mostradas en tabla 4.2 tienen que considerarse más como una cota superior que
como el valor exacto.
Finalmente, hay que estudiar la relación existente entre la corriente en cortocircuito y los
valores de las tensiones de alimentación. En la tabla 4.2 se encuentran algunas expresiones en las
que existe una dependencia explícita de las tensiones de alimentación. Asimismo, fig. 4.28d
muestra una dependencia de la alimentación en la salida con protección de sobrecarga. Sin
embargo, esta dependencia existe incluso en las expresiones en las que estas tensiones no
aparecen de forma explícita.
Fijémonos, por ejemplo, en el caso de una etapa de salida Push-Pull. La tensión colectoremisor
del transistor Q1 es VCC – VBE,Q1. En caso de que la tensión Early no fuese infinita, se
verifica que:
( )
( 1· ) ·1 λ · ( )
I = I = h + I + V − V
(4.47)
ShCC, Pos E VOG ≈+ VCC
FE, Q1 Q 1 CC BE, Q1
siendo λ1 = 1/VEAR,1. Por otra parte, hay que recordar que la fuente IQ puede depender
también de la tensión de alimentación, tal y como ocurría en la fuente IEE * de fig. 4.18. Puesto
111