UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Efectos de la radiación sobre amplificadores de instrumentación en tecnología bipolar
INA111. Como puede verse, cuanto más alejado esté el amplificador del origen, mayor es su
tolerancia a la radiación.
7.2 Tensiones de offset y corrientes de polarización de la entrada
7.2.1 Tensión de offset. Datos experimentales y justificación teórica
La tensión de offset de salida de los amplificadores de instrumentación fue medida cada
pocos minutos durante la irradiación. La ganancia de todos los amplificadores era determinada
por una resistencia externa de 470 Ω, metálica y del 0.1% de tolerancia. De esta manera, se
establecía el valor de este parámetro en torno a 107, tal y como especifica el fabricante. Las
únicas excepciones fueron los modelos AD624 e INA110, en los que hay resistencias internas
para fijar la ganancia en determinados valores. En ambos casos se eligió una ganancia igual a
100.
Para determinar la tensión de offset de la entrada, se unían todas las entradas del
amplificador a tierra y se medía la tensión de salida. A continuación, este valor se dividía por la
ganancia diferencial y se almacenaba en el ordenador. Durante la irradiación, las fuentes de
alimentación eran ±15 V y todas las muestras de un modelo pertenecían al mismo lote de
fabricación.
Apenas se pudieron tomar datos de los amplificadores de instrumentación que fueron
destruidos con mayor rapidez (AD620, INA116 e INA118). En estos amplificadores, se observa
un leve crecimiento de la tensión de offset antes de que se produzca la destrucción del
amplificador.
En el resto de amplificadores se pudo obtener un registro con gran número de datos acerca
de la tensión de offset en función del flujo de neutrones, mostrados en fig. 7.2a-d. Puede
observarse una diferencia apreciable entre el comportamiento de los amplificadores de entrada
bipolar y los de entrada JFET. En los primeros (INA114), la evolución es similar en todas las
muestras de los amplificadores en tanto que, en los del segundo grupo, el comportamiento es
aleatorio o, al menos, tiene un comportamiento bastante complejo.
La diferencia en el comportamiento de los amplificadores es sencilla de explicar si
extrapolamos los datos del capítulo 6 a los resultados de ap. 4.4.2.1. De acuerdo con lo
demostrado en este apartado, la tensión de offset de la entrada de un amplificador
instrumentación de entrada JFET y con una elevada ganancia podía reducirse a:
V = V − V
(7.1)
IOS OS ,1 OS ,2
siendo VOS,X la tensión de offset del amplificador X de fig. 4.34. En cambio, la tensión de
offset de un amplificador de entrada bipolar era:
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