UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Efectos de la radiación sobre referencias de tensión
un máximo y comienza a decrecer. También se constató que se producía un salto brusco, como
en la tensión de salida. A continuación, la corriente sigue descendiendo poco a poco hasta ser
prácticamente nula.
Tras la irradiación, las muestras no mostraron ningún tipo de actividad, por lo que hay que
descartar que la red cristalina se pueda recuperar por recocido térmico. Fuera cual fuera la
tensión de alimentación, tanto la tensión de salida como la corriente eran nulas.
8.5 Degradación del amplificador interno en las referencias
de tensión
En los apartados anteriores, se comprobó que la evolución de las referencias de tensión es
muy parecida sea cual sea la tecnología de fabricación. Los puntos comunes son los siguientes:
- Modificación suave de la tensión de salida en la primera parte de la irradiación.
- Decrecimiento acelerado de la tensión de salida con dosis altas de radiación.
- Descenso de la corriente en cortocircuito de la salida IShCC.
- Disminución del consumo de corriente, IQC.
- Mayor influencia de +VCC sobre todos los parámetros.
- Existencia de un valor mínimo de IShCC para alcanzar el valor nominal de salida.
Estos hechos apuntan claramente a que el mecanismo de degradación es básicamente
similar en todos los modelos y, puesto que el núcleo de la referencia es distinto, la respuesta debe
encontrarse en el amplificador operacional.
8.5.1 Influencia de +VCC en VOUT
Centrémonos en el estudio de las referencias de tensión con diodo Zener enterrado, que
tienen una interesante propiedad: En estas referencias, el núcleo es extremadamente tolerante a la
radiación, tal y como demuestran los resultados obtenidos en los diodos Zener discretos. Por
tanto, es evidente que la degradación de estas referencias debe estar relacionada con la del
amplificador operacional interno. Los resultados podrán extrapolarse a las referencias band-gap
pues se ha demostrado que estas referencias sin operacional son más resistentes a la radiación
que las que lo poseen [Rax97]. En cambio, se desconoce la posible tolerancia del núcleo de las
referencias XFET. La causa está en que se sabe que los transistores JFET son muy tolerantes
pero, desafortunadamente, la estructura de la fuente de corriente IPTAT es desconocida.
El primer punto que se va a estudiar es la creciente influencia de la tensión de alimentación
en la salida en las referencias de tensión con diodo Zener enterrado. Este fenómeno se
identificaría con un incremento del coeficiente de regulación α si la relación fuese totalmente
lineal. En estas referencias, el diodo Zener está conectado a la salida del amplificador
operacional. Por tanto, la tensión de alimentación no puede influir directamente en este diodo y
sólo puede hacerlo en el amplificador operacional.
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