UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
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Capítulo 6<br />
amplificadores operacionales bipolares. Sin embargo, a medida que progresa la irradiación, esta<br />
relación desciende hasta valores cercanos menores (0.327→0.200). La causa de este hecho debe<br />
buscarse en el método del cálculo del valor de S.R. La suposición inicial de ap. 4.3.7 era que sólo<br />
la etapa de entrada contribuía a cargar y descargar el condensador CX. Sin embargo, modelos<br />
más rigurosos de los amplificadores operacionales [Smi94, Gre97 pp.166] permiten incluir<br />
parámetros como otras fuentes de corriente de la etapa de entrada, resistencias de emisor, etc, de<br />
las que se deduce una relación no lineal entre el valor de S.R. y fu, así como una dependencia del<br />
sentido de cambio de la señal, etc. De acuerdo con estos modelos, se aprecia que el amplificador<br />
se acerca más a la idealidad cuanto mayor sea la corriente de alimentación de la etapa de entrada.<br />
Por esta causa, a medida que ésta disminuye, las no idealidades adquieren mayor importancia,<br />
haciendo que la relación S.R./fu se aleje de 0.327.<br />
En los amplificadores de entrada JFET, el problema de slew rate no es tan grave como en<br />
los amplificadores bipolares. La causa está en que su etapa de entrada podía ser alimentada con<br />
una corriente bastante elevada sin afectar a las corrientes de polarización de las entradas IB+ e IB-.<br />
A partir de este hecho, se puede explicar fácilmente por qué la relación S.R. = K·fu 2 se verifica<br />
con exactitud en el amplificador TLE2071. Es perfectamente posible incorporar otros parámetros<br />
adicionales a la ecuación, cuya importancia aumentaría a medida que la corriente de<br />
alimentación disminuye. Sin embargo, esta corriente es muchísimo más alta que la de los<br />
amplificadores bipolares. En consecuencia, las no idealidades son despreciables incluso en los<br />
amplificadores JFET más irradiados.<br />
La reducción del valor de slew rate y del producto ganancia ancho de banda es un hecho<br />
bastante conocido en los amplificadores operacionales y ha sido apuntado por otros autores<br />
[Joh76, MA92]. Por otra parte, puesto que el empeoramiento de la respuesta en frecuencia está<br />
relacionado con la degradación de las fuentes de corriente, deberá ocurrir también al someter el<br />
amplificador a radiación ionizante. Este empeoramiento ha sido encontrado por otros autores,<br />
tanto en la frecuencia de ganancia unidad [Gun03] como en el valor de slew rate [Men00, Sha96,<br />
Bon97].<br />
Finalmente, hay que resaltar un hecho curioso: La buena respuesta en frecuencia de un<br />
amplificador operacional depende únicamente de la corriente de alimentación de la etapa de<br />
entrada. Sin embargo, no hay ninguna relación con la frecuencia de ganancia unidad de los<br />
transistores del par diferencial. Por tanto, el resultado obtenido a partir de (3.38), que relacionaba<br />
la buena respuesta en frecuencia de los transistores bipolares con su tolerancia, no debe<br />
extenderse a la ligera a los amplificadores operacionales. Un ejemplo de ello es la tolerancia de<br />
los amplificadores OPA602 y OPA606 (fig. 6.16a). A priori, podría parecer que el segundo es<br />
más tolerante que el primero, pues tiene un valor de fu doble del primero. Sin embargo, el<br />
modelo OP606 apenas es operativo al llegar a 4·10 13 n·cm -2 en tanto que el otro puede llegar a<br />
8·10 13 n·cm -2 con un funcionamiento más que aceptable.<br />
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