UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Efectos de la radiación sobre componentes electrónicos básicos
práctica, este efecto produce una variación del valor de ΦB respecto al calculado
teóricamente.
C) Dependencia entre la barrera de potencial y el campo aplicado: Cuando se calculan las
características de una unión Schottky, se supone que las cargas del metal se acumulan en su
superficie. Esta distribución de cargas crea un campo eléctrico cuyo potencial eléctrico
asociado debe sumarse al obtenido directamente por la recolocación de las bandas. Esto
tiene como consecuencia que el máximo de la barrera sea algo menor y que se alcance en el
interior del semiconductor y no en la interfaz que los separa. Este descenso depende de la
tensión aplicada pues de ella depende la densidad de carga acumulada en el metal.
D) Corrientes de generación-recombinación: A semejanza de una unión PN, se supone que
los electrones no se recombinan en la región de vaciamiento. Esto no es así por lo que hay
que añadir una componente de este tipo, reflejada en las ecuaciones (3.9)-(3.10), a la
ecuación (3.21). Sin embargo, esta componente suele ser extraordinariamente baja en
comparación con la producida por emisión de electrones.
E) Resistencias parásitas: Antes de llegar a la interfaz, el electrón debe recorrer el
semiconductor y, a continuación, el metal. Por tanto, hay que incorporar estas zonas al
modelo del diodo. Para ello, se añade una resistencia parásita que es la suma de la
resistencia del semiconductor y la del metal.
F) Ruptura en inversa: En caso de que el dopado del semiconductor sea muy intenso, la
barrera de potencial puede ser muy estrecha cuando el diodo está polarizado en inversa. En
este caso, se puede producir flujo de electrones por efecto túnel. Por otro lado, es posible
también que la ruptura se produzca por medio de mecanismos de avalancha. En general, el
efecto túnel se produce cuando el dopado del semiconductor es del orden de 10 17 cm -3 .
Por otro lado, una unión Schottky no tiene por qué tener carácter rectificador. Existen casos
en los que la unión se comporta como una resistencia no lineal. Esto va a ocurrir cuando ΦB < 0,
puesto que no hay ninguna barrera que impida el flujo de electrones de una parte a otra de la
unión. También esto va a pasar también cuando el semiconductor ha sido extremadamente
dopado (~10 19 cm -3 ) y la barrera de potencial es muy estrecha de tal forma que los electrones
pueden atravesarla por efecto túnel cuando la unión se encuentra polarizada en inversa.
3.5.3 Efectos del daño por desplazamiento en uniones Schottky
De (3.22) se deduce que la característica en directa de un diodo está determinado por
constantes físicas universales, la temperatura, la masa efectiva del electrón y ΦB, diferencia entre
la energía de electrón libre del metal y la afinidad del semiconductor. No hay ninguna magnitud
que se vea afectada por el daño por desplazamiento. Por tanto, sus características en directa no se
modificarán apreciablemente cuando la unión sufra daño por desplazamiento.