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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Capítulo 7<br />

(a)<br />

(b)<br />

Fig. 7.11: Evolución de la ganancia y de la tensión de offset de entrada de amplificadores de instrumentación construidos con<br />

amplificadores tolerantes a la radiación, TLE2071 (a) y OPA627 (b).<br />

JFET. En principio, esta elección garantizaría la tolerancia a la radiación incluso con dosis de<br />

radiación del orden de 10 14 n·cm -2 . Por este motivo, se decidió construir amplificadores de<br />

instrumentación de este tipo y examinados bajo radiación.<br />

Se diseñaron placas en las que se encontrase la estructura de fig. 4.30 con resistencias de 22<br />

kΩ y con potenciómetros en lugares clave: Por un lado, uno de ellos permitía variar la tensión de<br />

offset de un amplificador operacional y anular la tensión de offset de salida. Por otro, la<br />

resistencia R5 de fig. 4.30, cuyo valor era 22 kΩ, era sustituida por otra de 18 kΩ en serie con un<br />

potenciómetro de 10 kΩ. Al variar el potenciómetro, la ganancia en modo común podía anularse.<br />

Los principales problemas que se observaron durante la irradiación fueron los siguientes:<br />

En primer lugar, la tensión de offset de la entrada de estos amplificadores se incrementa con el<br />

214

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