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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Topologías internas de un amplificador operacional y dispositivos relacionados<br />

Como puede verse, la influencia del parámetro α en la salida depende del signo de un<br />

factor que depende de las resistencias, de IPTAT y VP2. Desafortunadamente, esta relación es<br />

imposible de averiguar a partir de los datos suministrados por el fabricante. Sin embargo, se<br />

pueden obtener algunos resultados importantes: En primer lugar, la existencia de asimetrías en el<br />

núcleo de la referencia de tensión (J1, J2, I1 e I2) modifican la tensión de salida. Por otro lado,<br />

cuanto mayor sea la diferencia entre 1/RS1 y 1/RS2, mayor es la influencia de la tensión de<br />

alimentación. Para minimizar aquella diferencia, es necesario o bien que RS1 ≈ RS2, o bien que<br />

RS1, RS2 → ∞. Asimismo, las corrientes de polarización no influyen en la salida si son<br />

exactamente iguales, es decir, si IOS = 0.<br />

La determinación de la influencia de otras magnitudes como la tensión de offset de la<br />

entrada y la ganancia en lazo abierto es más compleja puesto que aparecen ecuaciones no<br />

lineales. Por eso, es preferible hacer un estudio cualitativo de la influencia de estos parámetros<br />

en la salida.<br />

(a) (b)<br />

Fig. 4.47a-b: Influencia de la tensión de offset de entrada del amplificador operacional (a) y de la ganancia en lazo abierto (b) en<br />

la salida de la referencia (Simulación en SPICE sobre circuito equivalente).<br />

Fig. 4.47a muestra el valor de la tensión de salida de una referencia XFET en función de la<br />

tensión de offset de entrada del amplificador operacional. Los datos se obtuvieron al simular la<br />

estructura de fig. 4.45 con PSPICE y muestran que el valor de la tensión de salida se incrementa<br />

si lo hace VOS. Fig. 4.47b muestra el valor de la salida en función de la ganancia del amplificador<br />

operacional. Puede verse que la tensión de salida es menor que la nominal si la ganancia en lazo<br />

abierto es menor que la nominal, siendo este fenómeno importante por debajo de 80 dB.<br />

4.5.5.3 Parámetros característicos de una referencia XFET<br />

Como en los otros tipos de referencias de tensión, puede hallarse una expresión teórica del<br />

valor de los parámetros propios de estos dispositivos:<br />

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