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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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CAPITULO 10<br />

CONCLUSIONES<br />

A lo largo de esta memoria, se ha presentado la evolución de los amplificadores<br />

operacionales al ser sometidos a neutrones rápidos y radiación gamma residual, en un ambiente<br />

que podrá asemejarse al que se espera en el LHC del CERN.<br />

Para determinar con claridad cuáles son los efectos esperados en los amplificadores<br />

irradiados, fue necesario, en primer lugar, conocer cómo afecta la radiación a los diversos<br />

materiales empleados en la construcción de componentes electrónicos para, posteriormente,<br />

comprender cómo se degradan estos componentes sencillos que son la base de los circuitos<br />

integrados más complejos.<br />

Ya que se han utilizado neutrones rápidos con energía en torno a 1 MeV, el mecanismo de<br />

degradación más importante es el daño por desplazamiento. Este tipo de daño tiene una serie de<br />

consecuencias en los componentes primarios que son bastante conocidas y que, indudablemente,<br />

conllevan una modificación de los parámetros externos de un amplificador operacional. Para<br />

establecer un nexo entre la degradación de los elementos sencillos y la de los dispositivos<br />

complejos, se adoptó en esta memoria la siguiente estrategia: En primer lugar, se estudiaron las<br />

topologías internas más populares en las diversas etapas de los amplificadores y, a partir de ellas,<br />

se buscó la relación entre los parámetros de los componentes sencillos y las no idealidades de un<br />

amplificador operacional. A continuación, se identificaron los parámetros susceptibles de ser<br />

degradados por la radiación y se dedujeron las consecuencias que tendrían en los amplificadores<br />

operacionales.<br />

1. En este estudio teórico, se comprobó que la mayor parte de los parámetros externos<br />

de los amplificadores operacionales dependen de la ganancia en corriente de los<br />

transistores bipolares, bien directamente (corriente de polarización de la entrada,<br />

corriente en cortocircuito, etc.), o bien a través de las fuentes internas de corriente.<br />

2. Para contrastar las predicciones teóricas con datos reales, se irradiaron muestras de<br />

gran variedad de modelos de amplificadores operacionales en una fuente de<br />

neutrones especialmente dedicada. Los resultados experimentales concordaban con<br />

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