UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
En un transistor JFET de canal n, sólo tienen sentido valores negativos de VGS. La causa
está en que la unión PN de la puerta debe estar inversamente polarizada y esto no ocurre si
VGS >0. Por otro lado, si el valor de la tensión umbral es inferior a un valor denominado “tensión
de pinch-off”, VP, el transistor está en zona de corte.
Se puede demostrar que la corriente que atraviesa un transistor de este tipo es función de
las tensiones entre puerta y fuente (VGS) y entre drenador y fuente (VDS). En el caso de un
transistor de canal n, la corriente que atraviesa es:
I
I
DS
DSS
⎧
⎪
⎪0,
si 0 > V > V
⎪
⎪
= ⎨I
⎨
⎪ ⎪⎩ ⎝ ⎠ ⎣⎝ ⎪
⎪ ⎧⎪ ⎛V −V ⎞⎡
2
BI GS
⎪I
1−3 1 − DSS ⎨ ⎜ ⎟⎢
⎪⎩ ⎪⎩ ⎝ V 3
P0 ⎠⎣
⎬ V V
⎠ ⎝ ⎠ ⎦⎪⎭
V −V
⎤⎫
BI GS ⎪
⎥⎬,
si V < V < 0, V > V
P GS DS DSAT
VP0
⎦⎪⎭
V V
P GS
3 3
⎧ 2 2
+ − −
⎫
⎪ ⎛V ⎞ ⎡⎛V V V ⎞ ⎛V V ⎞ ⎤
DS DS BI GS BI GS ⎪
3⎜ ⎟−2 ⎢⎜ ⎟ − ⎜ ⎟ ⎥ , DSS
V 0 ⎢ V V
P P0 P0
⎥
< P < 0, GS < DS DSAT
siendo:
66
(3.39a-c)
2 2 3
µ NqNWa D = (3.40)
6ε
L
S
(a) (b)
(c) (d)
Fig. 3.23: Zonas de trabajo del transistor JFET de canal n. Se ha supuesto que la puerta es doble, como son en la realidad los
transistores JFET. La figura (a) muestra el transistor en zona lineal; (b) muestra la transición desde lineal hasta saturación a causa
del incremento de V DS, que se alcanza en (c). Finalmente, (d) muestra el transistor en zona de corte.