UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Y que se puede calcular como:
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Efectos de la radiación sobre componentes electrónicos básicos
β
α0
=
β + 1
(3.25)
Esta relación se obtiene recordando que IC = β·IB = α·IE y que IB+IC+IE = 0. En el caso de
que VBE < 0 y VBC > 0, se intercambiarían los roles de emisor y colector y nos encontraríamos en
“zona activa inversa”. Sin embargo, este caso no suele ser interesante pues la construcción de
los transistores se realiza para mejorar las características del transistor en Z.A.D.
El último caso que se plantea es VBE > 0 y VBC > 0. En este caso, ambas uniones están
conduciendo y se produce el efecto transistor en las uniones BE y BC.
A la hora de estudiar el comportamiento eléctrico de un transistor NPN, se suele utilizar el
modelo Ebers-Moll, que se representa en fig. 3.14a. Un caso especialmente interesante de este
modelo se representa en fig. 3.14b, que es el transistor en Z.A.D.
(a) (b)
Fig. 3.14: Modelo Ebers-Moll completo de un transistor bipolar NPN (a). En la segunda figura, se ha representado el modelo
simplificado en zona activa directa (b).
Por último, hay que reseñar que el razonamiento anterior también puede utilizarse para
describir un transistor PNP. En estos transistores, los huecos desempeñan el papel de los
electrones en el NPN y viceversa. Asimismo, hay que tener en cuenta que las uniones PN se
encuentran en sentido inverso a las del transistor PNP por lo que las cuatro zonas de trabajo de
los transistores se determinan con las tensiones VCB y VEB.
3.6.2 No idealidades presentes en un transistor bipolar
En el apartado anterior, se ha realizado un resumen de la teoría de funcionamiento de un
transistor bipolar ideal. Sin embargo, en un transistor real aparecen otros fenómenos que deben
ser tenidos en cuenta. Estos efectos tienen que ver con la no idealidad de las uniones PN, las
resistencias parásitas, etc. A continuación se presentan los efectos observados en transistores
reales.
A) Corrientes de Generación-Recombinación: En el estudio anterior se supuso que la unión
BE era ideal aunque existen corrientes de generación-recombinación, tal y como ocurre en un