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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Capítulo 4<br />

(a) (b)<br />

Fig. 4.5: Fuentes de corriente basadas en un diodo Zener. El<br />

circuito (b) se encuentra autopolarizado.<br />

4.2.1.2 Fuentes de corriente basadas en diodos Zener<br />

Estas fuentes se basan en la creación de una diferencia de potencial en una resistencia por<br />

medio de un diodo Zener. Se crea una corriente constante que se refleja por medio de sencillos<br />

espejos de corriente. Fig. 4.5a-b muestran diversas configuraciones capaces de proporcionar una<br />

corriente independiente de la tensión de polarización. En ambos circuitos, la corriente de salida<br />

de las fuentes de corriente es:<br />

I<br />

SAL<br />

h VZ − ( VBE,1 + VBE,2 −VBE,4 −VBE,5)<br />

FE ≈<br />

h + 2<br />

R<br />

FE<br />

2<br />

88<br />

(4.10)<br />

La única diferencia existente entre ambos circuitos es que en el primer circuito existe una<br />

leve dependencia de la tensión de alimentación ya que la tensión de ruptura del diodo Zener no<br />

es constante (Ap. 3.4.2) y depende de la corriente que lo atraviesa. En cambio, en el segundo<br />

circuito, se utiliza una carga activa en lugar de la resistencia y este efecto se reduce<br />

apreciablemente.<br />

Por otro lado, la resistencia de salida de la fuente es similar a la de las fuentes descritas en<br />

el apartado anterior. La ecuación (4.9) es aún válida.<br />

4.2.1.3 Fuentes de corriente basadas en transistores JFET<br />

El estudio de estas fuentes es extremadamente sencillo. A fin de cuentas, un transistor FET<br />

se puede modelar como una fuente de corriente y basta con cortocircuitar la puerta con el<br />

drenador (Fig. 4.6) para obtener una fuente de corriente. En esta configuración, VG=VS, se<br />

descubre inmediatamente que la corriente que la atraviesa es, aproximadamente:<br />

( λ )<br />

I ≈ I ·1+<br />

V<br />

(4.11)<br />

DSS DS<br />

Fig. 4.6: Transistor JFET polarizado como fuente de<br />

corriente.<br />

Se ha utilizado (3.44) y (3.48) para obtener estas ecuaciones. Además, se ha supuesto que<br />

la alimentación es suficientemente alta como para que el transistor se encuentre en saturación. El<br />

problema de esta configuración es que tiene una dependencia fuerte de la tensión de<br />

alimentación. Por este motivo, se realizan construcciones algo más complejas, en las que se usan

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