UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

CAPITULO 6
EFECTOS DE LA RADIACIÓN SOBRE AMPLIFICADORES
OPERACIONALES DE PEQUEÑA SEÑAL Y POTENCIA
Uno de los resultados del tercer capítulo de esta memoria es que los parámetros eléctricos
de un amplificador operacional bipolar dependen de las características de sus componentes
internos. Por otro lado, en el segundo capítulo se detalló como afectaba la radiación a estos
parámetros. Esta sección se dedicará al estudio experimental de los cambios que sufren los
amplificadores operacionales comerciales a medida que son irradiados. Asimismo, se buscará
una justificación teórica de los datos experimentales a partir de la evolución de sus componentes
internos.
6.1 Tipos de amplificadores operacionales examinados
Se realizó una selección de amplificadores de tal manera que fueran representadas la
mayor parte de las familias de amplificadores operacionales bipolares existentes en el mercado.
Por este motivo, se examinaron amplificadores con entrada bipolar o JFET (bien pura o bien
DiFET). Las características de los dispositivos son muy variadas: Algunos se caracterizan por
una alta ganancia, otros por su precisión, bajo consumo, buena respuesta en frecuencia,
inmunidad al latch-up, bajo coste, etc. Por otro lado, era necesario examinar componentes que, a
pesar de tener un nombre similar, pertenecían a distintas compañías ya que la tecnología de
fabricación difiere de una compañía a otra [Den00]. A continuación se ha hecho una lista con los
amplificadores de pequeña señal examinados:
- LF351: National Semiconductor. Entrada JFET con gran ancho de banda.
- LH0042: National Semiconductor. Entrada JFET, bajo coste, inmune a latch-up.
- OP07: Analog Devices. Íntegramente bipolar. Offset extremadamente bajo.
- OP27: Analog Devices. Íntegramente bipolar. Precisión y bajo ruido.
- OP77: Analog Devices. Íntegramente bipolar. Ganancia extremadamente alta.
- OPA111: Burr-Brown. Entrada DiFET. Precisión y bajo ruido.
- OPA124: Burr-Brown. Entrada DiFET. Precisión y bajo ruido.
- OPA132: Burr-Brown. Entrada JFET. Alta velocidad.
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