UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Acción de la radiación sobre los materiales utilizados en el diseño electrónico
movilidad propiamente dicha para describir el movimiento de los portadores en las cercanías de
la interfaz del sólido [Sze81, p. 448]. La causa de esta diferencia es la presencia de niveles de
superficie, que obstaculizan el movimiento de los portadores que se desplazan cerca de ésta y
que no interfieren en el resto del substrato. A causa de la radiación ionizante, se produce una
disminución de la movilidad superficial [Sex85]:
1 1 1
0 · 0 · IF N
− − −
µ = µ + α µ ∆ (2.20)
En el que µ0 es la movilidad inicial, α un parámetro que depende de la tecnología y ∆NIF la
densidad de trampas creadas por la radiación.
2.5 Daño producido por ionización en materiales por sucesos
aislados.
En los dos apartados anteriores, se han tratado los efectos de la radiación ionizante desde
un punto de vista global y estadístico. Se aceptó que los daños se producían de forma uniforme
en todo el material y a lo largo del tiempo. La radiación gamma es un claro ejemplo de este tipo
de ionización (Fig. 2.5a). Sin embargo, en ciertos casos la ionización no se produce de esta
manera. Imaginemos una partícula fuertemente ionizada que se desplaza a través de un material,
tanto aislante como semiconductor. Las cargas se liberarán a lo largo del camino seguido por la
partícula y no en todo el material (Fig. 2.5b). Es cierto que no existen irradiaciones con una
única partícula sino con una gran cantidad por lo que, estadísticamente, la ionización es
homogénea y los efectos serían similares a los originados por la radiación gamma.
(a) (b)
Fig. 2.5: Distintos tipos de ionización: Homogénea (a) y heterogénea (b)
A pesar de todo, la ionización producida por estas partículas está sujeta a una cierta
aleatoriedad. Imaginemos que una partícula incide en un dieléctrico polarizado y crea de forma
espúrea un rastro de cargas libres. Si se dan las condiciones adecuadas, este rastro podría tener la
adecuada inclinación y longitud para comunicar los dos extremos del dieléctrico y provocar un
cortocircuito que destruiría el dispositivo.
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