UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
Fig. 3.25: Reducción de la tensión de pinch-off de
transistores JFET [Cit96]
MESFET de AsGa [Cit95, Zul88]. Fig. 3.25-3.26 muestran los efectos del daño por
desplazamiento en estos parámetros obtenida por diferentes autores.
Por otro lado, se produce un fuerte aumento de la resistencia serie del los transistores a
causa de los efectos anteriormente mencionados. Esto tiene como consecuencia que el factor
efectivo de modulación del canal aumenta a causa de estas resistencias [Den00]. Finalmente, hay
que reseñar que la frecuencia de ganancia unidad es cada vez menor pues es directamente
proporcional a la concentración de portadores [MA92, p. 591].
3.7.3 Efectos de la radiación ionizante sobre los transistores JFET y MESFET
Los transistores de este tipo son muy
resistentes a este tipo de radiación. Los efectos
que se pueden dar en ellos son el aumento de las
corrientes de fuga y la reducción de la anchura
efectiva de las zonas neutras en transistores JFET
de canal p.
Las corrientes de fuga entre puerta y los
otros puntos del transistor se incrementan por las
mismas razones que aumentan las de una unión
PN inversamente polarizada cuando son irradiados con radiación ionizante (Ver ap. 3.4.4) y no
merece la pena repetir lo que ya se describió. En cambio, la reducción de la anchura efectiva en
los transistores JFET de canal p tiene un origen similar al que hace aumentar las resistencias
integradas de tipo p. Un transistor de este tipo está recubierto por un óxido de protección que
acumula carga positiva. Esta carga crea un campo eléctrico perpendicular a la dirección de la
corriente eléctrica y que tiende a alejar los huecos del óxido de protección en las zonas neutras.
Esto causa que las resistencias parásitas del transistor de canal p se incrementen
considerablemente [Den00]. Por otra parte, la evolución del transistor depende del ritmo de
70
Fig. 3.26: Disminución de la corriente I DSS en un transistor
JFET [Jan88].
Fig. 3.27: La acumulación de carga en el óxido de
protección del transistor JFET vacía de huecos las zonas
neutras.