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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Capítulo 9<br />

las alimentaciones y entradas de una muestra del conversor AD565 con diversas<br />

entradas.<br />

d) Tiempo de asentamiento: En el conversor AD565, no se observó un empeoramiento de<br />

la respuesta en frecuencia. En estos dispositivos, el tiempo de establecimiento era<br />

determinado por el slew rate del amplificador operacional externo que convertía la<br />

corriente en tensión.<br />

Tabla 9.6:Tiempos de asentamiento del conversor AD667.<br />

NIEL TID Tiempo Est. (0→10V) Tiempo Est. (10V→0)<br />

3.28 1900 7.30 0.86<br />

2.84 1200 7.10 0.84<br />

2.77 1700 7.00 0.86<br />

2.51 1140 6.10 0.80<br />

0 0 0.45 0.34<br />

·10 13 n·cm -2 Gy V/µs V/µs<br />

En cambio, los conversores con amplificador integrado sufrieron un fuerte<br />

aumento en el valor del tiempo de asentamiento. Dado que la red divisora de corrientes<br />

parece mucho más tolerante a la radiación, como parecen demostrar los datos obtenidos<br />

al irradiar el conversor AD565, este empeoramiento debe achacarse sin ninguna duda a<br />

la degradación del amplificador interno. Ejemplo de ellos son los tiempos obtenidos al<br />

caracterizar el modelo AD667, cuyos valores se muestran en la tabla 9.7.<br />

9.2.3 Causas de la degradación de los conversores D/A en tecnología bipolar<br />

En el apartado destinado al estudio de la referencia interna, se constató que su evolución<br />

era muy similar a la de las referencias discretas. Por tanto, a pesar de que no se conoce cual es su<br />

estructura interna concreta, puede concluirse que los cambios medidos son producidos por la<br />

degradación progresiva del amplificador operacional interno. Este hecho explica por qué<br />

aumenta la tensión de salida, el descenso de la corriente en cortocircuito, la influencia de la<br />

alimentación, etc.<br />

El estudio del conversor AD565 nos proporciona una serie de pistas acerca del<br />

comportamiento de los conversores bajo radiación. Este conversor carece de amplificador<br />

operacional interno y, en su interior, sólo se encuentra la red divisora de corrientes. Ciertamente,<br />

esta red es afectada por la radiación pero el efecto de ésta sólo es apreciable en la disminución<br />

del valor de NREL, fenómeno que se produce por el desapareamiento de los componentes internos<br />

durante la irradiación.<br />

Otros fenómenos como la variación del error de offset, de ganancia o el empeoramiento en<br />

frecuencia no puede ser justificados por la degradación de la red R/2R por su origen reposa en la<br />

degradación de otros componentes internos. Evidentemente, este componente no puede ser otro<br />

que el amplificador operacional de apoyo, que funciona como transconductor. La degradación de<br />

éste justificaría inmediatamente por qué aumenta el tiempo de establecimiento del conversor<br />

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