UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Introducción
simular la radiación residual producida en el LHC. Posteriormente, se describirá el sistema
de medida que permitió caracterizar on-line todos los dispositivos.
Capítulo 6: Se muestran los resultados experimentales obtenidos al irradiar diversos tipos
de amplificadores operacionales comerciales y se justificará la evolución de éstos con los
resultados obtenidos en el cuarto capítulo. Asimismo, se realiza una comparación con los
datos presentes en la literatura relacionada.
Capítulo 7: Los resultados obtenidos al examinar amplificadores operacionales se extrapolan
a amplificadores de instrumentación con el objetivo de justificar la degradación
observada en éstos cuando fueron irradiados en el ITN.
Capítulo 8: Se muestran los resultados experimentales obtenidos al irradiar muestras de las
tres familias de referencias de tensión discretas presentes en el mercado (Band gap, Zener
enterrado y XFET). A semejanza del capítulo anterior, se procederá a explicar la
degradación observada con la destrucción del amplificador operacional interno.
Capítulo 9: La última familia de dispositivos examinada son los conversores digitalesanalógicos.
En este caso, no sólo se estudiaron muestras construidas en tecnología bipolar
sino que también se muestran los resultados obtenidos en dispositivos CMOS.
Las últimas páginas de esta memoria se dedicarán a las conclusiones y a citar todas las
referencias utilizadas en esta memoria.