UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
En cambio, este tipo de radiación puede afectar al diodo por medio de mecanismos de
segundo orden. En primer lugar, las corrientes de generación-recombinación van a aumentar a
causa de la disminución del tiempo de vida media de portadores minoritarios, lo cual conduciría
a un aumento del coeficiente de idealidad y a un aumento de las corrientes de fuga. Sin embargo,
este efecto es mínimo incluso para dosis del orden de 10 15 n·cm -2 , tal y como han puesto de
relieve ciertos autores [Yu69, Nea72, Bor76]. Por otro lado, se pueden esperar incrementos en la
resistencia serie, que fueron encontrados por los autores citados.
En algunos diodos de AsGa se produce un fenómeno curioso cuando el diodo está
polarizado en inversa. Tal y como se explicó anteriormente, las características del diodo apenas
cambiaban en directa y esto puede extenderse al rango de bajas tensiones negativas. En las zonas
de tensiones negativas más elevadas, se observó un crecimiento anómalo de las corrientes de
fuga [Bor76] que no podía ser explicado por el crecimiento de las corrientes de generaciónrecombinación.
Es necesario recurrir a otros mecanismos para explicar este fenómeno físico.
Según Borrego et alt, el desorden creciente de la red del semiconductor aumenta el número de
los estados de superficie. Estos apenas modifican la altura de la barrera de potencial pero
permiten el paso de los electrones desde el metal al semiconductor por medio de efecto túnel. De
esta forma se explicaría por qué aparecía este incremento de corriente con altas tensiones
negativas.
En cambio, la capacidad del diodo sí se ve afectada por el daño por desplazamiento. En
(3.23) se puede comprobar que C -2 es proporcional a ND. La eliminación de portadores conlleva
un aumento de la capacidad parásita, que ha sido encontrada por los anteriores autores. Además,
la eliminación de portadores calculada a partir de la evolución de la capacidad se corresponde
con la calculada experimentalmente por otros métodos y mostrada en (2.2).
3.5.4 Efectos de la radiación ionizante en uniones Schottky
Los cambios que produce este tipo de radiación en las uniones Schottky se deben a la
acumulación de carga en el óxido de protección y a la generación de estados de superficie. Estas
modificaciones provocan cambios similares a los observados en uniones PN. Se han observado
aumentos en la corrientes de fuga en inversa a causa de la creación de un canal de fuga y al
aumento del tamaño de la zona de vaciamiento de la unión [Yu69]. Por otro lado, es interesante
reseñar que la tolerancia de un diodo Schottky puede aumentarse con la geometría adecuada, tal
y como se muestra en el trabajo anterior.
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