UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 8
Fig. 8.1: Relación entrada-salida del diodo Zener BZX2V7
polarizado en inversa a diferentes valores de flujo de
neutrones (T=25 ºC)
8.1.1 Diodos Zener y de ruptura por avalancha
Fig. 8.2: Relación entrada-salida en directa del diodo Zener
BZX2V7 (T=25 ºC). La modificación de las gráficas se
debe a los incrementos de I S y m.
Se irradiaron diversas muestras de los diodos BZX2V7, P6KE8A, P6KE15A y P6KE18A,
con tensiones de ruptura en torno a 2.7, 8, 15 y 18 V. De acuerdo con lo dicho anteriormente, el
primer diodo entra en ruptura por efecto túnel en tanto que los dos últimos son diodos supresores
de transitorios en los que la ruptura se produce por avalancha. Por último, en el diodo P6KE8A
ambos fenómenos están presentes en la misma medida.
Las muestras fueron caracterizadas antes y después de la irradiación. Se desechó hacer un
seguimiento on-line debido a la gran sensibilidad de estos dispositivos a las fluctuaciones de
temperatura. Para hacer la caracterización, se adaptó el sistema de medida para realizar un
barrido de corriente con la fuente K236 y se midió la tensión de los diodos. Los diodos se
caracterizaron a temperatura ambiente (25 ºC).
Fig. 8.1 muestra las características en inversa de diversos diodos Zener BZX2V7 en
función del flujo de neutrones recibido. Puede observarse que la característica en inversa no
cambia ni siquiera cuando se alcanza una dosis cercana a 10 14 n·cm -2 . Estos resultados
experimentales confirman las ideas expuestas en ap. 2.4.4, en el que se concluyó que la tensión
de ruptura por efecto túnel no es afectada por el daño por desplazamiento a menos que se
alcancen dosis de radiación mucho mayores que las mencionadas anteriormente.
En cambio, el comportamiento en directa depende de parámetros afectados fácilmente por
el daño por desplazamiento. Prueba de ello es fig. 8.2, en el que se ha representado la corriente
del diodo en función de la tensión aplicada en directa.
Por otro lado, aquellos diodos en los que predomina la ruptura por avalancha son también
muy tolerantes a la radiación. Fig. 8.3a-b muestra las características en inversa del diodo
P6KE15A antes (a) y después (b) de la irradiación. Como puede apreciarse, las características
apenas cambian tras la experiencia. El mismo comportamiento fue observado en los otros diodos
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