UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 4
estar construida a partir de una fuente de corriente similar a la de fig. 4.4c o bien de alguna
variante del espejo Widlar.
4.5.5.2 Influencia de las no idealidades en la salida de una referencia XFET
En este apartado, se va a estudiar cómo afectan las no idealidades internas de la referencia
de tensión a la tensión de salida. En primer lugar, se va a suponer que el amplificador
operacional tiene ganancia infinita y tensión de offset de entrada nula. Sin embargo, se va a
aceptar que:
a) Las fuentes I1 e I2 no están apareadas y tienen una resistencia en paralelo.
b) Las entradas del amplificador tienen corrientes de polarización IB+ e IB-
c) No se verifica la igualdad IDSS1·VP2 2 = IDSS2·VP1 2 .
En este caso, el circuito de fig. 4.45 se convierte en fig. 4.46. Aceptando que los
transistores se encuentran en zona lineal, las ecuaciones que rigen el circuito son:
V = V
(4.103a)
D1 D2
V −V
I
I + = I + · V − V · V
(4.103b)
( )
CC D1
DSS ,1
1
RS1 B−2 VP1
OUT P1 D1
V −V
I
I + = I + · V − V · V
(4.103c)
( )
CC D2
DSS ,2
2
RS2 B+ 2
VP2
A P2 D2
VOUT −VAVA −VB
= (4.103d)
R R
1 3
V −V
V
= I + (4.103e)
OUT A B
R1 PTAT
R3
que:
Operando con las tres primeras ecuaciones y aceptando que VCC >> VD2, se puede deducir
V
I + −I
V V R V
= = α
V V V I
OUT − P1 A − P2 CC
1 B−
S1 ·
VCC
I2+ −IB+
RS
2
2 I P1
DSS ,2
· 2
P2 DSS,1
138
(4.104)
Idealmente, α = 1 pero la presencia de estas no idealidades pueden modificar su valor. Si
operamos con esta ecuación, (4.103d) y (4.103e), se deduce que:
( )
V = αV + V − αV
(4.105)
OUT A P1 P2
⎛ R3 + R ⎞ ⎛ ⎛ 2 R3 + R ⎞ ⎞
2
VOUT= ⎜1 + ⎟· VP1+ α ⎜R3· IPTAT − 1+
VP2
R ⎜ ⎜ ⎟ ⎟
1 R ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎝ 1 ⎠ ⎠
(4.106)