UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 3
V
EA
2
WBq· NAB
,
= (3.31)
2· ε
S
Como puede verse, el valor de la tensión Early depende de la anchura de la base y del
dopado del colector. Remplazando NA,B por ND,B, se obtendría la tensión Early de un transistor
PNP.
D) Resistencias parásitas. Efecto de abarrotamiento: En las regiones neutras de los
transistores, se pueden producir caídas de tensión cuando son atravesadas por una corriente
eléctrica. Esto se tiene que modelar con resistencias parásitas en serie con el transistor en cada
uno de sus terminales. Es especialmente interesante el efecto de estas resistencias en la base. Por
un lado, el valor de la resistencia de base depende de la anchura de ésta pero, a su vez, ésta
depende de la tensión VBC al estrecharse la anchura de la base al crearse la zona de vaciamiento.
Por tanto, cuanto mayor sea la tensión de VBC, mayor es el valor de la resistencia de base.
Por otro lado, en un transistor real (Fig. 3.12), la corriente que llegue al colector por los
puntos de la unión situados a menor distancia del terminal de base verán una resistencia de base
menor valor que los que están más alejados. Esto implica que la mayor parte de la corriente de
base fluirá por el lado cercano al terminal y que los portadores de corriente se concentren en este
punto.
E) Ruptura por Avalancha: En un transistor en situación de corte o ZAD existe al menos
una unión PN inversamente polarizada. Si esta tensión es excesivamente alta, la unión puede
comenzar a conducir por los mecanismos explicados en el apartado 3.4.2.
F) Efectos de Alta Frecuencia: La ganancia en corriente de un transistor bipolar depende de
la frecuencia. Se cumple que la ganancia β de un transistor bipolar es:
β0
β ( f ) ≅
β0·
f
1 + j·
f
T
58
(3.32)
siendo β0 la ganancia en corriente a baja frecuencia, y fT la frecuencia de corte del
transistor. Por tanto, un transistor bipolar tiene un polo en fT/β0. El valor de β0 se recoge en la
tabla 3.1 y el de fT es:
f
T
2· DB
2
WB
= (3.33)
Siendo DB la constante de difusión de portadores en la base y WB la anchura de la base.
Para hacer este cálculo, se ha supuesto que el factor determinante del comportamiento en
frecuencia es el tiempo que tardan los electrones o huecos en cruzar la base. Se han despreciado
otros efectos como la carga y descarga de las capacidades parásitas de las uniones BE y BC.
Los anteriores resultados serán utilizados para deducir cual es el efecto de la radiación en
los transistores bipolares.