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PHOTONIQUE POUR LES LASERS À CASCADE QUANTIQUE ...

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tel-00740111, version 1 - 9 Oct 2012<br />

5.3 . DÉMONSTRATION EXPÉRIMENTALE DE LA RÉDUCTION DE<br />

L’ÉPAISSEUR<br />

5.3.2 Réduction de l’épaisseur pour une structure bound to continuum<br />

En premier lieu nous avons étudié la réduction de l’épaisseur sur des<br />

structures de type bound to continuum. La structure standard fait 12 µm<br />

d’épaisseur et est nominalement identique à la structure décrite par S.<br />

Barbieri et coauteurs [53] . La région active de la structure fine de 6 µm<br />

d’épaisseur est identique à la structure standard sauf le dopage moyen<br />

de la région active qui est 20 % plus faible. Les deux structures ont été<br />

fabriquées, en guide métal métal et en guide plasmonique afin de pouvoir<br />

comparer les performances de ces dispositifs dans les deux guides en<br />

fonction de l’épaisseur.<br />

Les deux structures lasent à environ 2.6 THz (cf figure 5.7). En guide<br />

(a) (b)<br />

2.4 2.5 2.6 2.7 2.8<br />

Fréquence (THz)<br />

2.4 2.5 2.6 2.7 2.8<br />

Fréquence (THz)<br />

FIG. 5.7: Spectres des structures Bound to continuum en guide métal<br />

métal, pour une épaisseur de la région active de 12 µm (panneau<br />

(a)) et de 6 µm (panneau (b)). Les spectres ont été acquis en mode<br />

pulsé (20 kHz, 300 ns), en utilisant le bolomètre comme détecteur.<br />

double métal, (la couche de contact est amincit jusqu’à 200 nm environ)<br />

les courbes LIV en fonction de la température sont présentées dans la<br />

figure 5.8.<br />

Comme prévu, la tension de fonctionnement a été réduite. Elle n’a pas<br />

été réduite d’un facteur deux, car il faut prendre en considération la barrière<br />

Schottky 9 de l’ordre de 0.7 V.<br />

La structure fine fonctionne jusqu’à 75 K en mode pulsé et 60 K en<br />

continu. Ces valeurs sont très proches de la structure de référence de 12<br />

µm d’épaisseur.<br />

Entre les deux structures les densités de courant ne peuvent être comparées<br />

car les dopages sont différents : le dopage de la région active de la<br />

9 La barrière Schottky est une barrière de potentiel qui se forme à l’interface entre un<br />

métal et un semi-conducteur.<br />

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