PHOTONIQUE POUR LES LASERS À CASCADE QUANTIQUE ...

tel-00740111, version 1 - 9 Oct 2012
nAR = 3.6 nAR = 3.55 + 0.0032 ∗ i
αtot (h = 5 µm) 16.94 cm −1 20.33 cm −1
αtot (h = 10 µm) 9.81 cm −1 13.32 cm −1
α5µm/α10µm 1.72 1.53
5.4 . CONCLUSION
TAB. 5.2: Pertes calculées en guide métal métal pour les structures
de 5 et 10 µm d’épaisseur. La région active est soit assimilée à du
GaAs pur, soit à du GaAs dopé dont l’indice est obtenu en utilisant le
modèle de Drude.
On trouve que le ratio des pertes est compris entre 1.5 et 1.7 selon les
indices utilisés. Ces valeurs sont en accord avec le facteur 1.68 obtenu
expérimentalement.
On peut alors décomposer le courant de seuil comme étant :
Jth(T ) ≈ Jpara + α C(T ) (5.10)
Où Jpara est la densité de courant parasite (elle a une petite dépendance
en température mais qui peut être négligée en première approximation), α
représente les pertes totales normalisées par le facteur de confinement,
et C(T ) correspond à l’évolution en température du seuil. Pour cette structure,
et comme on l’a vu au chapitre précédent, ce terme C(T ) est dominé
par l’émission de phonon activée thermiquement.
5.4 Conclusion
La réduction de l’épaisseur a de nombreuses applications pour les
structures photoniques. Expérimentalement la réduction de l’épaisseur ne
s’accompagne pas d’un dégradation trop forte des performances des dispositifs.
Ainsi l’utilisation de structures fines pour des structures photoniques
est possibles. Nous verrons dans le prochain chapitre un exemple
d’utilisation d’une structure à épaisseur réduite pour obtenir des microcavités
lasers.
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