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PHOTONIQUE POUR LES LASERS À CASCADE QUANTIQUE ...

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tel-00740111, version 1 - 9 Oct 2012<br />

CHAPITRE 8 . CRISTAUX <strong>PHOTONIQUE</strong>S, RÉSULTATS EXPÉRIMENTAUX<br />

Énergie réduite a/λ<br />

0.4<br />

0.35<br />

0.3<br />

0.25<br />

0.2<br />

X J <br />

FIG. 8.5: Structure de bande photonique pour le réseau trigonal de<br />

trous utilisé. Pour cette simulation 3D les paramètres suivants ont été<br />

utilisés : la période est a = 36 µm, l’épaisseur de la région active :<br />

h = 12 µm, assimilé à du GaAs d’indice 3.6, et le métal est supposé<br />

parfait. Le rayon des trous est r = 8 µm. Les différentes couches<br />

dopées n’ont pas été prises en compte.<br />

Threshold current<br />

density (A/cm 2 )<br />

170<br />

160<br />

150<br />

140<br />

130<br />

120<br />

110<br />

100<br />

90<br />

80<br />

Absorbing boundary condition<br />

Mirror boundary condition<br />

r/a≈0.22<br />

Ridge laser threshold<br />

possible<br />

device<br />

damage<br />

0 2 4 6 8 10 12<br />

Radius (µm)<br />

FIG. 8.6: Jth en fonction du rayon des trous du CP. La période des<br />

CPs est fixe et égale à 36.5 µm. La courbe bleue correspond aux<br />

dispositifs avec les conditions aux bords absorbantes (ABC), et la<br />

rouge avec les MBCs. Les mesures ont été acquises à 10 K avec<br />

un bolomètre Si (refroidit à 4 K). Pour les rayons de plus de 10 µm<br />

de rayon, l’augmentation du seuil peut être due à détérioration du<br />

dispositif lors de la micro-soudure (il est difficile de contacter les dispositifs<br />

avec des trous larges). En comparaison le seuil laser d’un<br />

guide ruban est de l’ordre de ≈85 A · cm −2 .<br />

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