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PHOTONIQUE POUR LES LASERS À CASCADE QUANTIQUE ...

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tel-00740111, version 1 - 9 Oct 2012<br />

A.1 . PROCÉDÉS DE FABRICATION<br />

quels que soit la concentration en aluminium. Selon la dilution X, l’attaque<br />

est plus ou moins rapide [149].<br />

2) Acide citrique. La composition est de la solution est<br />

<br />

C6H8O7<br />

3<br />

H2O2<br />

La gravure est sélective : elle attaque le GaAlAs pour des concentrations<br />

en Al inférieures à 50 %. Le GaAs gravé présente des structures<br />

de formes pyramidales.<br />

3) Acide Fluoridrique. Il est utilisé pur, et grave le GaAlAs pour des proportions<br />

en Al de 50% ou plus.<br />

Les solutions d’acide sulfurique seront utilisées pour graver la région<br />

active, l’acide citrique pour graver complètement un substrat, et l’acide<br />

sulfurique pour enlever la couche d’arrêt lors de la gravure du substrat.<br />

A.1.4 Métallisation<br />

La métallisation consiste à déposer sous vide du métal sur l’échantillon.<br />

J’ai utilisé deux types de métallisation :<br />

1) Ti/Au. Le but est de déposer une couche d’or. Le titane sert comme<br />

couche d’accroche. Afin de limiter au maximum les pertes optiques,<br />

l’épaisseur de titane est de 5 à 8 nm.<br />

2) Ni/Ge/Au/Ni/Au. Ce type de métallisation est utilisé pour obtenir un<br />

contact ohmique en le combinant à un recuit, afin d’éviter la barrière<br />

Schottky. Les épaisseurs typiques sont (en nm) 10/20/40/10/200.<br />

A.1.5 Lift off<br />

Le but du Lift off est de déposer du métal à des endroits choisis sur<br />

l’échantillon. Pour cela, on reproduit le schéma voulu sur l’échantillon avec<br />

de la résine en utilisant la lithographie optique. Ensuite on dépose le métal<br />

sur toute la surface. Sur certaines parties de l’échantillon le métal se<br />

retrouvera directement en contact avec l’échantillon, et sur d’autre partie<br />

il sera sur la résine. En plongeant l’échantillon dans l’acétone, la résine va<br />

se dissoudre, et entraîner avec elle le métal qui est au dessus.<br />

A.1.6 Report de substrat (wafer bonding)<br />

Le report de substrat consiste à souder un échantillon sur un autre substrat.<br />

Pour cela ils sont tous les deux métallisés (Ti/Au, 8/500 nm), ensuite<br />

en appliquant un pression et en chauffant, l’or va partiellement fondre, et<br />

ainsi coller les deux parties. Cette étape est faite par une compagnie anglaise<br />

Applied Microengineering LTD (AML).<br />

230<br />

1<br />

<br />

H2O .<br />

1

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