Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

108 6 SiGe/Si Inselstrukturen
einer großen Anzahl von Kind-Ensembles herangezogen werden. In Abb.6-30B werden die
Korrelationspeaks bei ∆q 100=0.002Å -1 sowohl in Bezug auf ihre Lage als auch auf relative
Intensitäten gut reproduziert. Abb. 6-31 zeigt einen Schnitt durch gemessene (siehe Abb. 6-6) und
simulierte Intensität bei q 001=4.563Å -1 in der Nähe des 004 Gitterpunktes. Beide Intensitäten
wurden der Vergleichbarkeit wegen bei q 100=0 auf den selben Wert normiert. In der Simulation
treten zwischen den experimentell nachweisbaren Peaks (P1, P2 und P3) noch zusätzliche
Schultern (Z1 und Z2) auf, deren Abstand zum CTR etwa ∆q 100=0.001Å -1 beträgt. Diese verschwinden
auch dann nicht, wenn die Ur-Ensembles auf Gebiete von 4 µm 2 ausgedehnt werden. Sie
können folglich kein direkter Artefakt der Ensemblegröße sein. Möglicherweise spiegelt sich auch
hier der Abstand der Ketten untereinander wider.
Abb. 6-31: Schnitt durch die gemessene (Kurve A) und simulierte Intensität in der
Nähe des 004 Reflexes für ein konstantes q 001=4.563Å -1 . Der Abstand der Peaks
P1 bis P3 beträgt untereinander etwa 0.002Å -1 . Neben diesen treten in der
Simulation zusätzliche (Z1 und Z2) jeweils zwischen zwei experimentell gesicherten
auf, die möglicherweise auf den Abstand der Ketten untereinander zurückgeführt
werden können.
Die Streuung an einem Inselensemble setzt sich multiplikativ aus der diffusen Streuung an einer
Einzelinsel und einer teils kohärenten teils inkohärenten Summation der Amplituden bzw. Intensitäten
gemäß (6-5) zusammen. In Abb. 6-32 sind beide Faktoren der Simulation getrennt dargestellt.
Kurve C gibt die simulierte totale diffuse Intensität wieder, die sich aus der deformations-
single
und formgeprägten Streuung an einer Einzelinsel I
(q)
(Kurve A) und aus der berechneten in-
plane Korrelationsfunktion G(q || ) (Kurve B), die für große q 100 einen konstanten Wert annimmt,
zusammensetzt.
diffus