Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

122 7 InP/InGaP Quantenpunkte
besser können die oberen Bereiche in beiden 〈110〉 Richtungen relaxieren und verkleinern
damit 〈α〉.
In Abb. 7-5A ist für verschiedene Inselhöhen h bei gleicher Inselbasis (w 110=50 nm und
w 1-10=30 nm), also für ein konstantes Verhältnis Q 110/Q 1-10, die mittlere berechnete Deformation
entlang der beiden 〈110〉 Richtungen aufgetragen. Die Werte wurden aus den Peaklagen der
simulierten diffusen Intensitäten bestimmt.
Innerhalb eines Höhenfensters von 5 nm bis 10 nm nimmt die mittlere Deformation linear, für
beide 〈110〉 Richtungen mit etwa gleichen Steigungen, als Funktion der Inselhöhe zu. Über den
gesamten Höhenbereich kann die Relaxation entlang der kurzen Inselseite effizienter stattfinden als
über die lange Seite. Für Höhen größer 10 nm treten Abweichungen vom linearen Zusammenhang
auf, da ab einem bestimmten h die oberen Bereiche bereits vollständig relaxiert sind. Dass der Wert
für den angenommenen Gitterparameterunterschied von 0.0258 für keine der beiden Richtungen
erreicht wird, ist eine Folge der Mittelung über die gesamte Insel. Im Rahmen einer höhenaufgelösten
Betrachtung der Relaxation in Kap. 7.2.2 wird diese Aussage zum Relaxationsverhalten im
oberen Inselteil bestätigt.
Im Aspektverhältnis 〈α〉, Abb. 7-5B, wird eine Abnahme der Asymmetrie mit zunehmender Insel-
höhe deutlich. Während eine 5 nm hohe Insel noch ein hohes Aspektverhältnis 〈α〉 simu von 1.97
aufweist, sinkt dieses kontinuierlich auf 1.45 bei h=15 nm ab.
Ändert man bei fester Höhe das geometrische Aspektverhältnisse Q 110/Q 1-10, so offenbart sich ein
Skalenverhalten für 〈α〉. Abb. 7-6 zeigt für vier verschiedene geometrische Aspektverhältnisse
(w 110={30, 40, 50 und 60 nm}, w 1-10=30 nm) bei einer fixen Höhe h=7 nm diesen Zusammenhang.
exp
Abb. 7-6: Berechneter Parameter 〈α〉 als Funktion des Aspektverhältnisses
Q 110/Q 1-10 für eine freistehenden In 0.83Ga 0.17P Insel konstanter Höhe h=7 nm.