Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...
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6.2 Deformationsfelder und Konzentrationsverlauf in SiGe Inseln 75<br />
Aus dieser Aufstellung wird deutlich, dass die Be<strong>an</strong>twortung der Frage nach dem Konzentrationsverlauf<br />
<strong>von</strong> den konkreten Bedingungen wie Wachstumsmethode (und den gewählten Parametern),<br />
Dichte, Größe und Form der Inseln, und ob es sich um freistehende oder vergrabene Inseln<br />
(Unterscheidung zwischen Einzel- und Vielfachschichten) h<strong>an</strong>delt, stark unterschiedlich ausfallen<br />
k<strong>an</strong>n. Sie sollte nicht <strong>von</strong> der Untersuchungsmethode abhängen. Bei indirekten Verfahren kommt<br />
deshalb der sorgfältigen Wahl, beziehungsweise der weitestgehenden Anpassung des Modells, eine<br />
besondere Bedeutung zu.<br />
6.2.1 Experimentelle Befunde<br />
Zur Bestimmung des Deformationsfeldes und dem damit eng verbundenen Konzentrationsprofil<br />
innerhalb der Inseln wurde die diffus gestreute Intensität in der Nähe verschiedener reziproker<br />
Gittervektoren hochaufgelöst vermessen. Da es sich bei den zu untersuchenden Strukturen um<br />
dreidimensionale Objekte h<strong>an</strong>delt und die diffuse Intensität folglich ebenfalls in drei Dimensionen<br />
Informationen enthält, wurden zunächst der symmetrische Reflex 004 innerhalb zweier nichtäquivalenter<br />
Zonen untersucht. Einerseits wurde die Geometrie so gewählt, dass parallel zu den<br />
〈110〉 K<strong>an</strong>ten eingestrahlt wird, <strong>an</strong>dererseits entl<strong>an</strong>g der Inseldiagonalen 〈100〉, siehe Abb. 4-2.<br />
Darüber hinaus wurden die zwei asymmetrischen Reflexe -1-13 und -404 vermessen, die je in einer<br />
der beiden Zonen liegen, um so auch den Einfluß lateraler Gitterparameterveränderungen zu<br />
berücksichtigen.<br />
q [A ]<br />
-1<br />
001<br />
4.60<br />
4.58<br />
4.56<br />
4.54<br />
4.52<br />
4.50<br />
K<br />
P CTR M<br />
-0.05 0.00 0.05<br />
-1<br />
q 110 [A ]<br />
G<br />
F<br />
2<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
log (I)<br />
Abb. 6-4: Zweidimensionale Intensitätsverteilung in der Nähe des Gitterpunktes<br />
004 innerhalb der durch [110] und [001] aufgesp<strong>an</strong>nten Ebene. Senkrecht zur<br />
Kristalloberfläche verläuft der intensitätsstarke Crystal Truncation Rod (CTR). Ein<br />
dem Wesen nach gleicher Effekt <strong>an</strong> den {111} Inselfacetten führt zu einer<br />
Verteilung entl<strong>an</strong>g der Facettennormalen (F). Der Si-Substratreflex wurde mit<br />
Rücksicht auf den erreichbaren Dynamikbereich nicht explizit vermessen. In ihm<br />
schneiden sich CTR, Monochromatorstreak (M) und ein Artefakt (P), der durch<br />
starke <strong>Streuung</strong> bei exakter Erfüllung der Bragg-Position auftritt. Die erste Ordnung<br />
der Korrelationspeaks (K) in der Nähe des CTR werden in dieser Zone nur durch die<br />
endliche Vertikaldivergenz auf die Beugungsebene projiziert. Die Oszillationen (G)<br />
im unteren Bereich sind mittelbar mit der Inselgröße verbunden, können jedoch auf-
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