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Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

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2.4 Phänomenologische Aspekte des Str<strong>an</strong>ski-Krast<strong>an</strong>ow Modus 27<br />

Abb. 2-13: Statistische Auswertung der zu einer Inselkette beitragenden Anzahl <strong>von</strong><br />

Inseln als Funktion der Kettenlänge für die vier unterschiedlichen Bedeckungsgrade B<br />

aus Abb. 2-12<br />

Für Abb. 2-13 wurde die Anzahl der <strong>an</strong> einer Kette beteiligten Inseln als Funktion der Kettenlänge<br />

für die vier unterschiedlichen Bedeckungsgrade B aufgetragen. Aus dem Diagramm lassen sich drei<br />

Schlußfolgerungen ziehen, die die zuvor gemachten Aussagen zur Entstehung <strong>von</strong> Inselketten<br />

qu<strong>an</strong>titativ belegen:<br />

(1) Da die Anzahl der Solitärinseln nahezu unabhängig vom Bedeckungsgrad ist, nimmt<br />

der Anteil einzeln stehender Inseln gemessen <strong>an</strong> der Gesamtinselzahl mit zunehmender<br />

Bedeckung ab.<br />

(2) Mit <strong>an</strong>wachsender Bedeckung steigt die maximal realisierte Kettenlänge.<br />

(3) Das Maximum der Verteilung verschiebt sich bei größerer Bedeckung zu längeren<br />

Ketten.<br />

Es ist eine naheliegende Vermutung, dass der Prozeß der Kettenbildung durch das eine Insel<br />

umgebende Deformationsfeld gesteuert wird. In Abb. 2-14 sind die mit Finiter Elemente Methode<br />

(FEM) berechneten Verzerrungsenergiedichten:<br />

E ⎞<br />

⎜ ⎟<br />

⎝V<br />

⎠<br />

2 2 2 1 2 2 ⎤<br />

( xx + ε yy + ε zz ) + ( ε xy + ε xz + ε ) ⎥⎦<br />

1 ⎡<br />

= 2G ⋅ ⋅<br />

⎢ ε yz (2-32)<br />

P ⎣<br />

2<br />

⎛ 2<br />

strain<br />

in der Umgebung einer Einzelinseln (A) und eines Dimers (B) gezeigt. Dabei ist G das Schermodul.<br />

Zu den Details der FEM sei auf Kap. 5.1 verwiesen. Als Modell diente in beiden Fällen eine durch<br />

{111} Seitenfacetten und eine (001) Deckfacette begrenzte Si 0.7Ge 0.3 Insel mit einer Basisbreite <strong>von</strong><br />

130 nm bei 65 nm Höhe. Diese Insel wurde auf einer Benetzungsschicht gleicher<br />

Zusammensetzung positioniert, die sich ihrerseits auf einem Si(001) Substrat befindet. Dabei wurde<br />

ein eingeschränkter Bereich gezeigt, um bestimmte Eigenschaften der Verteilung besser<br />

hervorzuheben.

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