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Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

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2.3 Züchtung aus der flüssigen Phase 15<br />

A B C<br />

Abb. 2-3: Schematische Darstellung des (A) Fr<strong>an</strong>k-v<strong>an</strong> der Merwe-, (B) Str<strong>an</strong>ski-<br />

Krast<strong>an</strong>ow- und (C) Volmer-Weber-Wachstums<br />

Für das Auftreten des Fr<strong>an</strong>k-v<strong>an</strong> der Merwe und des Volmer-Weber Wachstums gab Bauer<br />

[Bau58] ein makroskopisch abgeleitetes Energiekriterium <strong>an</strong>. Die freie Oberflächenenergie des<br />

Substrates sei E S (im Falle der LPE ist dieser Term die Grenzflächenenergie zur Lösung) und die<br />

der Schicht E L, sowie die Grenzflächenenergie zwischen Schicht und Substrat E I. Während des<br />

Wachstums wird aus der freien Oberfläche des Substrates das Interface zur Schicht und die<br />

Energiebil<strong>an</strong>z läßt sich schreiben:<br />

∆E<br />

= E + E − E<br />

sys<br />

L<br />

I<br />

S<br />

(2-26)<br />

Fr<strong>an</strong>k-v<strong>an</strong> der Merwe Wachstum liegt vor, wenn die Energiedifferenz ∆E sys negativ ist. Das<br />

Wachstum vollzieht sich Lage für Lage. Im Falle des gitter<strong>an</strong>gepaßten heteroepitaktischen<br />

Wachstums (a L=a S) entstehen Inseln, sobald ∆E sys positiv ist (Volmer-Weber). Als selektiver<br />

Schalter zwischen den beiden Modi kommt bei der Heteroepitaxie die aufgrund der unterschiedlichen<br />

Gitterparameter auftretende Deformationsenergie hinzu. Marée [MNM87] führte zu<br />

ihrer Berücksichtigung in (2-26) einen höhenabhängigen Sp<strong>an</strong>nungsenergieterm δ(h) ein, der,<br />

sol<strong>an</strong>ge er klein ist, die Bedingungen für ein Fr<strong>an</strong>k-v<strong>an</strong> der Merwe Wachstum realisiert, welches<br />

jedoch nach Überschreiten einer kritischen Schichtdicke - und somit größerem δ(h) - in Volmer-<br />

Weber-Wachstum mit Inselbildung mündet. Dieser zweistufige Prozeß beschreibt die Vorgänge<br />

beim Str<strong>an</strong>ski-Krast<strong>an</strong>ow-Wachstum. Für das System SiGe/Si geht aufgrund der Fehlpassung das<br />

Wachstum nach Ausbildung einer Benetzungsschicht zu Inselbindung über.<br />

2.3 Züchtung aus der flüssigen Phase<br />

2.3.1 Thermodynamik der LPE<br />

Die in dieser Arbeit untersuchten SiGe Schichten wurden mittels Flüssigphasenepitaxie (LPE) <strong>von</strong><br />

Herrn Wawra am Institut für Kristallzüchtung in Berlin gezüchtet. Der besondere Umst<strong>an</strong>d des<br />

Wachstums aus der Flüssigphase führt zu Diffusionskonst<strong>an</strong>ten der gelösten Subst<strong>an</strong>zen, die im<br />

Vergleich zu Raten <strong>an</strong> einer freien Oberfläche um bis zu vier Größenordnungen größer sind<br />

[Lin90]. Aus diesem Grund verläuft das Wachstum aus der Flüssigphase sehr dicht am thermodynamischen<br />

Gleichgewicht. Es ist wachstumskinetisch nicht limitiert und k<strong>an</strong>n mit den Methoden<br />

der Gleichgewichtsthermodynamik beschrieben werden.<br />

Sehr <strong>an</strong>schaulich k<strong>an</strong>n m<strong>an</strong> die temperaturabhängige Zusammensetzung eines mehrkomponentigen<br />

Systems in einem Phasendiagramm darstellen. Die Komponenten Silizium und Germ<strong>an</strong>ium sind<br />

lückenlos mischbar, darüber hinaus weisen beide R<strong>an</strong>dkomponenten den gleichen Strukturtyp auf.

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