Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

120 7 InP/InGaP Quantenpunkte
lationen für die gesamte Insel konstant gehalten wurde. Der Schichtpeak in den Simulationen ergibt
für die Komponenten des Deformationstensors 〈ε 110〉 = (5.0±0.5)×10 -3 und 〈ε 1-10〉 = (8.7±0.5)×10 -3 ,
woraus für das aus der Simulation bestimmte mittlere Verhältnis 〈α〉 simu=1.71 folgt.
Die Neigung der in der Simulation modellierten Facetten von 15.64° und 25.02° sind ein starkes
Indiz für das Vorhandensein von Typ {115} (15.79°) und {113}-Facetten (25.24°). Im Unterschied
zu der von Ballet et.al. [BSY00] gefundenen Form, besitzen die Inseln der untersuchte Probe
keine Deckfacette.
-1
q 001 [A ]
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -0.5 -1.0
4.40 4.40
4.35 4.35
4.30 4.30
4.25 4.25
4.20 4.20
4.15
4.15
4.10
0-44
404
4.10
404
4.35 4.40 4.45 4.35 4.40 4.45
4.35 4.40 4.45
-1
q 0-10 [A ]
log (I)
6.5
6.0
5.5
A I CTR B
Z
5.0
4.5
4.0
-1 -1
q 100 [A ]
q 100 [A ]
Abb. 7-4: (A) Gemessene diffus gestreute Intensität in der Nähe der 0-44 und 404
Gitterpunkte. Die Messung erfolgte exklusive des Substratreflexes, der bei
q 100=q 0-10=q 001=4.445Å -1 auftreten würde und in der Messung zu den bereits
diskutieren Intensitätsverteilung senkrecht zur Oberfläche CTR und dem Streak (Z)
führt. (B) Simulationen der diffusen Intensität für eine In 0.83Ga 0.17P Insel
(w 110=50nm, w 1-10=30nm, h=7nm) auf einer an GaAs gitterangepaßten
In 0.48Ga 0.52P Pufferschicht.
In Abb. 7-4A sind die gemessenen Intensitäten in der Nähe der beiden äquivalenten Reflexe 0-44
und 404 dargestellt. Auch hier wurde der GaAs-Substratreflex nicht mitvermessen. Die hohe Intensität
bei Erfüllung der Braggbedingung am Substrat führt wie bei den vorangestellten Messungen zu
dem bereits erwähnten Artefakt (Z), der Truncation Rod (CTR) erscheint als starke Intensitätslinie
senkrecht zur Oberfläche durch den Substratreflex. Die Inselreflexe (I) erscheinen im Unterschied
zum Reflexpaar 113/1-13 bei der gleichen Position im reziproken Raum (q 0-10=4.408Å -1 und
q 100=4.409Å -1 ), was auf eine Äquivalenz der beiden 〈100〉 Richtungen schließen läßt. Daneben, in
Abb. 7-4B, findet sich eine Simulation des 404 Reflexes für eine freistehende In 0.83Ga 0.17P Insel
3.5