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Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

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36 3 Beugung <strong>von</strong> <strong>Röntgenstrahlen</strong><br />

r i<br />

∫<br />

e iKr − K sr′<br />

3<br />

E r =<br />

r′<br />

E r′<br />

r′<br />

streu ( ) e e ρ ( ) 0 ( ) d<br />

(3-23)<br />

r<br />

mit (3-20) und dem Streuvektor Q = K s − K 0 wird der letzte Ausdruck zu:<br />

E<br />

streu<br />

re iKr 0<br />

− iQr′<br />

3 re<br />

iKr 0<br />

( r)<br />

= e E ρ ( r′<br />

) e d r′<br />

= e E f ( Q,<br />

λ<br />

r ∫<br />

) (3-24)<br />

r<br />

wobei die Verteilung der Elektronen innerhalb des Atoms in der Atomformamplitude f enthalten<br />

ist.<br />

Für die <strong>Streuung</strong> am einzelnen Elektron folgt aus Gleichung (3-22) die Thomsonschen Streu-<br />

formel, die eine Aussage über die elastisch gestreute Intensität in Abhängigkeit <strong>von</strong> α, dem Winkel<br />

zwischen Schwingungsrichtung des E-Feldes und abgebeugtem Strahl, macht :<br />

I<br />

e<br />

2<br />

⎛ re<br />

⎞<br />

= ⎜ sinα ⎟ I 0<br />

(3-25)<br />

⎝ r ⎠<br />

wobei I 0 die Intensität der einfallenden Welle beschreibt:<br />

I<br />

0<br />

=<br />

( ) () 2<br />

2<br />

0 i K 0 r−ωt<br />

E e = E0<br />

r<br />

(3-26)<br />

Zusammenfassend fußt die kinematische Theorie auf folgenden fundamentalen Vereinfachungen:<br />

(1) Streuprozesse, bei denen ein Röntgenqu<strong>an</strong>t mehr als einmal mit dem Potential V<br />

wechselwirkt im Sinne <strong>von</strong> (3-16), werden vernachlässigt. (Abbruch der Born-Serie<br />

nach dem 1.Glied)<br />

(2) Die gestreute Intensität ist so schwach, dass der einfallende Strahl alle Orte des Kristalls<br />

mit gleicher Intensität beleuchtet. (Vernachlässigung <strong>von</strong> Extinktion)<br />

(3) Brechungseffekte beim Überg<strong>an</strong>g zwischen verschiedenen Medien, z.B. der Überg<strong>an</strong>g<br />

Vakuum-Kristall, sind nicht berücksichtigt. Die Folgen dieser Vereinfachung fallen<br />

besonders gravierend aus, wenn ein- und/oder ausfallende Welle unter einem Winkel in<br />

der Nähe des kritischen Winkels der Totalreflexion zur Oberfläche verlaufen.<br />

Die vor<strong>an</strong>gestellten Überlegungen gelten für jede Anordnung der Streuer. Um die Streuamplitude<br />

eines Kristalls in kinematischer Näherung zu bestimmen, muß m<strong>an</strong> (3-24) folgend die <strong>von</strong> allen der<br />

Strahlung ausgesetzten Streuern am Ort r i (entsprechend ihrem Streuvermögen f i gewichtet) ausgehenden<br />

Amplituden phasenrichtig aufsummieren. Die Positionen der einzelnen Atome im<br />

Kristall mögen durch r i gegeben sein, so dass die Projektionen <strong>von</strong> K 0 und K s auf r i die Phasendifferenzen<br />

zwischen einfallender, respektive gestreuter, Welle am Ort r i berücksichtigen. Damit<br />

läßt sich (3-24) zu der stationären Wellengleichung umschreiben:

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