Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

84 6 SiGe/Si Inselstrukturen
-1
q 110 [A ]
q [A ]
-1
001
4.60
4.55
-0.50 0 0.50
-1
q 110 [A ]
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
log (I)
Abb. 6-11: Simulierte Intensität in der Nähe des reziproken Gitterpunktes 004 für
einen Si 0.7Ge 0.3 Pyramidenstumpf mit 130 nm Basisbreite und einer Höhe von
65 nm. In der Rechnung wurde über einen Bereich von 0.006Å -1 senkrecht zur
Beugungsebene integriert. Abgesehen von der Verschiebung der Gesamtintensität hin
zu größeren Absolutwerten führt die Vertikaldivergenz unter den experimentellen
Umständen zu keinen qualitativen Veränderungen des Streubildes.
0.05
0
-0.05
-3.0 -2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 5 6 7 8
0.006 A -1
log (I)
A B
-0.05 0 0.05 -0.05 0 0.05
-1
q 110 [A ]
-1
q 110 [A ]
Abb. 6-12: (A) an Probe 1005x gemessene in-plane Intensitätsverteilung durch den
004 Schichtreflex für ein konstantes q 001=4.55Å -1 . Der gezeigte Schnitt entstand
durch azimutale Drehung der Probe um 180° mit parallel zur Oberfläche ausgerichtetem
PSD, was im äußersten Bildbereich zu einer kreisrunden Begrenzung des
Meßgebietes und im zentralen Teil zu einer teils kreisförmigen Streifung aufgrund der
endlichen Schrittweite des Azimutes führt. (B) Simulation einer Insel mit 130 nm
Basisbreite entlang 〈110〉 bei einer Höhe von 65 nm. In beiden Fällen erkennt man
den Einfluß der Inselform: die größere Ausdehnung mit Inseldiagonalen entlang
〈100〉 führt (abgesehen von Abbrucheffekten) im reziproken Raum zu einer Struktur